dr. sc. Mirko Poljak

Poslijedoktorand, Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave

Konzultacije:

Po dogovoru, javiti se na navedenu e-mail adresu.

  Izvorni znanstveni i pregledni radovi u CC časopisima
 

1. Krivec, Sabina; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
Electron mobility in ultra-thin InGaAs channels : Impact of surface orientation and different gate oxide materials. // Solid-state electronics. 115 (2016) , 1; 109-119 (članak, znanstveni).

2. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
Quantum transport analysis of conductance variability in graphene nanoribbons with edge defects. // IEEE transactions on electron devices. 63 (2016) , 2; 537-543 (članak, znanstveni).

3. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
Immunity of electronic and transport properties of phosphorene nanoribbons to edge defects. // Nano Research. 9 (2016) , 6; 1723-1734 (članak, znanstveni).

4. Poljak, Mirko; Wang, Kang L.; Suligoj, Tomislav.
Variability of bandgap and carrier mobility caused by edge defects in ultra-narrow graphene nanoribbons. // Solid-state electronics. 108 (2015) ; 67-74 (članak, znanstveni).

5. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.
Influence of substrate type and quality on carrier mobility in graphene nanoribbons. // Journal of applied physics. 114 (2013) , 5; 053701-1-053701-8 (članak, znanstveni).

6. Poljak, Mirko; Wang, Minsheng; Song, Emil B.; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.
Disorder-induced variability of transport properties of sub-5 nm-wide graphene nanoribbons. // Solid-state electronics. 84 (2013) , 6; 103-111 (članak, znanstveni).

7. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Grgec, Dalibor; Suligoj, Tomislav.
Assessment of electron mobility in ultra-thin body InGaAs-on-insulator MOSFETs using physics-based modeling. // IEEE transactions on electron devices. 59 (2012) , 6; 1636-1643 (članak, znanstveni).

8. Poljak, Mirko; Song, Emil B.; Wang, Minsheng; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.
Influence of edge defects, vacancies and potential fluctuations on transport properties of extremely-scaled graphene nanoribbons. // IEEE transactions on electron devices. 59 (2012) , 12; 3231-3238 (članak, znanstveni).

9. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Modeling study on carrier mobility in ultra-thin body FinFETs with circuit-level implications. // Solid-state electronics. 65/66 (2011) ; 130-138 (članak, znanstveni).

10. Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Poljak, Mirko; Civale, Yann; Nanver, Lis K.
Ultra-high aspect-ratio FinFET technology. // Solid-state electronics. 54 (2010) , 9; 870-876 (članak, znanstveni).

11. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Suppression of Corner Effects in Wide-Channel Triple-Gate Bulk FinFETs. // Microelectronic Engineering. 87 (2010) , 2; 192-199 (članak, znanstveni).

12. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Improving bulk FinFET DC performance in comparison to SOI FinFET. // Microelectronic engineering. 86 (2009) , 10; 2078-2085 (članak, znanstveni).
spacer.gif
 
  Znanstveni radovi u zbornicima skupova s međunar.rec.
 

1. Krivec, Sabina; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
Impact of different gate insulator materials on the electron mobility in ultra-thin (100) InGaAs-on-insulator MOS devices // Proceedings of the 38th International Convention MIPRO 2015 / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka : GRAFIK, 2015. 25-30 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

2. Poljak, Mirko; Krivec, Sabina; Suligoj, Tomislav.
On the enhancement of electron mobility in ultra-thin (111)-oriented In0.53Ga0.47As channels // Proceedings of the First Joint EUROSOI-ULIS Conference 2015 / Palestri, Pierpaolo ; Gnani, Elena (ur.).
Bologna, 2015. 117-120 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

3. Ivanić, Vedran; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
Phonon-limited hole mobility in sub-20 nm-thick double-gate germanium MOSFETs // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka : GRAFIK, 2014. 45-50 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

4. Krivec, Sabina; Prgić, Hrvoje; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
Comparison of RF performance between 20 nm-gate bulk and SOI FinFET // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka : GRAFIK, 2014. 51-56 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

5. Poljak, Mirko; Wang, Kang L.; Suligoj, Tomislav.
Sensitivity of carrier mobility to edge defects in ultra-narrow graphene nanoribbons // Proceedings of the International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS) 2014 / Mikael Ostling ; Per-Erik Hellstrom ; Gunnar Malm (ur.).
Stockholm : KTH, 2014. 1-4 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

6. Poljak, Mirko; Wang, Minsheng; Žonja, Sanja; Đerek, Vedran; Ivanda, Mile; Wang, Kang L.; Suligoj, Tomislav.
Impact of microstrip width and annealing time on the characteristics of micro-scale graphene FETs // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka : GRAFIK, 2014. 33-38 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

7. Poljak, Mirko; Song, Emil B.; Wang, Minsheng; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.
Effects of Disorder on Transport Properties of Extremely Scaled Graphene Nanoribbons // Proceedings of the 42nd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) / Deval, Yann ; Zimmer, Thomas ; Skotnicki, Thomas (ur.).
Bordeaux : IEEE, 2012. 298-301 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

8. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Physics-Based Modeling of Hole Mobility in Ultrathin-Body Silicon-On-Insulator MOSFETs // Proceedings of the 34th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO) - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb : DENONA, 2011. 71-76 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

9. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Investigation of Hole Mobility in Ultrathin-Body SOI MOSFETs on (110) Surface: Effects of Silicon Thickness and Body Doping // Proceedings of the 2011 IEEE International SOI Conference / W. Xiong (ur.).
Tempe, Arizona, USA : IEEE, 2011. 114-115 (poster,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

10. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Features of Electron Mobility in Ultrathin-Body InGaAs-On-Insulator MOSFETs down to Body Thickness of 2 nm // Proceedings of the 2011 IEEE International SOI Conference / W. Xiong (ur.).
Tempe, Arizona, SAD : IEEE, 2011. 156-157 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

11. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Orientation-Dependent Electron Mobility Behavior with Downscaling of Fin-Width in Double- and Triple-Gate SOI FinFETs // Proceedings of the 11th International Conference on Ultimate Integration on Silicon / S. Roy (ur.).
Glasgow, 2010. 21-24 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

12. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Quantum-Mechanical Modeling of Phonon-Limited Electron Mobility in Bulk MOSFETs, Ultrathin-Body SOI MOSFETs and Double-Gate MOSFETs for Different Orientations // Proceedings of the 33rd International Convention MIPRO - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb : Denona, 2010. 74-79 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

13. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Modeling study on carrier mobility in ultra-thin body FinFETs with circuit-level implications // Proceedings of the 40th European Solid-State Device Research Conference / Gamiz, Francisco ; Godoy, Andres (ur.).
Seville : IEEE, 2010. 242-245 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

14. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Physical mechanisms of electron mobility behavior in ultra-thin body double-gate MOSFETs with (100) and (111) active surfaces // Proceedings of the 46th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials (MIDEM) / Đonlagić, D. ; Šorli, I. ; Šorli, P. (ur.).
Ljubljana : BIRO M, 2010. 101-105 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

15. Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav; Poljak, Mirko.
Bulk-Si FinFET Technology for Ultra-High Aspect-Ratio Devices // Proceedings of the 39th European Solid-State Device Research Conference / Tsoukalas, D. ; Dimoulas, A. (ur.).
Athens : IEEE, 2009. 241-244 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

16. Jovanović, Vladimir; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
FinFET Considerations for 0.18 um Technology // Proceedings of 45th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials MIDEM 2009 / Topič M. ; Krč, J. ; Šorli, I. (ur.).
Ljubljana, Slovenija : MIDEM Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials, 2009. 91-96 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

17. Jovanović, Vladimir; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav; Civale, Yann; Nanver, Lis K.
1.9 nm Wide Ultra-High Aspect-Ratio Bulk-Si FinFETs // Device Research Conference - Conference Digest / Koester, S. ; Gundlach, D. ; Fay, P. (ur.).
IEEE, 2009. 261-262 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

18. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Quantum Confinement and Scaling Effects in Ultra-Thin Body Double-Gate FinFETs // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka : Croatian Society for Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics - MIPRO, 2009. 95-100 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

19. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Suppression of Corner Effects in Triple-Gate Bulk FinFETs // Proceedings of the International IEEE Conference EUROCON 2009 / Mironenko, I. ; Mikerov, A. (ur.).
St. Petersburg : IEEE, 2009. 1-6 (poster,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

20. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Optimum Body Thickness of (111)-oriented Ultra-Thin Body Double-Gate MOSFETs with Respect to Quantum-Calculated Phonon-Limited Mobility // Proceedings of the International Semiconductor Device Research Symposium 2009 / Jones, Ken ; Dilli, Zeynep (ur.).
College Park : IEEE, 2009. 1-2 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

21. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
SOI vs. Bulk FinFET: Body Doping and Corner Effects Influence on Device Characteristics // Proceedings of the 14th IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference (MELECON) / G. A. Capolino, J. F. Santucci (ur.).
Ajaccio : IEEE, 2008. 425-430 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

22. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Properties of Bulk FinFET with High-κ Gate Dielectric and Metal Gate Electrode // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb : Denona, 2008. 73-78 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

23. Šakić, Agata; Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Influence of Scaling and Source/Drain Series Resistance on the Characteristics of Ultra-Thin Body FinFETs // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb : Denona, 2008. 84-89 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

24. Poljak, Mirko; Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav.
Comparison of 1D and 2D model of quantum effects in the simulation of sub-50 nm double-gate MOSFETs // Proceedings of the 30th International Convention MIPRO 2007 / P. Biljanović, K. Skala (ur.).
Rijeka, 2007. 78-83 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

25. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Technological constrains of bulk FinFET structure in comparison with SOI FinFET // Proceedings of International Semiconductor Device Research Symposium / Jones, K. (ur.).
College Park - Washington, USA, 2007. (poster,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
spacer.gif
 
  Neobjavljena sudjelovanja na skupovima
 

1. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
Electron Transport in Thin-Body InGaAs-OI MOSFETs: A Theoretical Viewpoint // 2014 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) - Workshop on Carrier Transport in Nano-Transistors / Tsuchiya, H. ; Kamakura, Y. (ur.).
Yokohama, Japan, 2014. 1-42 (pozvano predavanje,međunarodna recenzija,ppt prezentacija,znanstveni).

2. Poljak, Mirko.
FinFET: Optimization and Analysis of Specific Effects // European School on Nanosciences and Nanotechnologies (ESONN), August-September 2009, Grenoble, France.
(poster,neobjavljeni rad,znanstveni).
spacer.gif
 
  Disertacije
 

1. Poljak, Mirko.
Carrier transport in low-dimensional nanoelectronic devices / doktorska disertacija.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 28.05. 2013., 209 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav ; Wang, Kang L..
spacer.gif
 
  Diplomski radovi
 

1. Poljak, Mirko.
Utjecaj kvantnih efekata na karakteristike ekstremno skaliranih MOS tranzistora / diplomski rad.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 17.05. 2007., 95 str. Voditelj: Biljanović, Petar.
spacer.gif
 
  Druge vrste radova
 

1. Suligoj, Tomislav; Knežević Tihomir; Poljak, Mirko; Žonja, Sanja; Žilak, Josip.
PureB layers – XRD measurements and temperature characteristics, 2014. (ekspertiza).

2. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Knežević, Tihomir; Poljak, Mirko; Žilak, Josip.
Large Area Reverse Structure Avalanche Photodiode Simulations, 2014. (ekspertiza).

3. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Poljak, Mirko; Žonja, Sanja; Knežević, Tihomir; Žilak, Josip.
Design of a scalable model of GaN devices, 2014. (ekspertiza).

4. Babić, Dubravko; Suligoj, Tomislav; Poljak, Mirko.
Stanje i budućnost mikroelektronike i elektroničke tehnologije kod nas i u svijetu - Prilika za uključenje, 2013. (članak).

5. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
MORGANA - Semi-classical carrier mobility simulator for graphene nanoribbons on different substrates, 2013. (računalni programski paket).

6. Suligoj, Tomislav; Knežević, Tihomir; Poljak, Mirko; Žilak, Josip.
Spectroscopic elipsometry and Internal photoemission characterization of of PureB layers, 2013. (ekspertiza).

7. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Knežević, Tihomir; Poljak, Mirko; Žilak, Josip.
XPS Data interpretation of PureB layers, 2013. (ekspertiza).

8. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
TOMEK - Atomistic quantum transport (NEGF) simulator for studies of transport properties of graphene nanoribbons, 2012. (računalni programski paket).

9. Suligoj, Tomislav; Knežević, Tihomir; Poljak, Mirko; Žonja, Sanja; Žilak, Josip.
Optimization of diode capacitance of Annular BS detector, 2012. (ekspertiza).

10. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
INGA - Simulator of electron mobility for single and double-gate ultra-thin body InGaAs-on-insulator transistors, 2011. (računalni programski paket).

11. Poljak, Mirko.
Analiza i optimiranje naprednih tranzistora s efektom polja – pregled područja i dosadašnjih rezultata, 2010. (kvalifikacijski doktorski ispit).

12. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
MOSOR - Orientation-dependent carrier mobility simulator for single and double-gate ultra-thin body silicon devices, 2009. (računalni programski paket).

13. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Poljak, Mirko.
Emitter Coupled Logic (ECL) Circuit Design in a Novel Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology, 2009. (ekspertiza).

14. Poljak, Mirko.
Rješenje problema periodičkog potencijala u obliku Diracovog češlja prijenosnom matricom, 2008. (seminarski rad (rukopis)).

15. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Poljak, Mirko.
Novel Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) in AKM's 0, 18μm BiCMOS Process –Polysilicon Re-crystallization Problem, Process Uniformity and Device Simulation, 2008. (ekspertiza).

16. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Jovanović, Vladimir; Grgec, Dalibor; Poljak, Mirko.
Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) in AKM's 0, 18μm BiCMOS Process: 4th Lot Device Simulation, 2007. (ekspertiza).
spacer.gif
 
  Vođenje disertacija, magistarskih i diplomskih radova
 

1. Krivec, Sabina.
Modeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja / završni rad - diplomski/integralni studij.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 11.07. 2014., 77 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

2. Prgić, Hrvoje.
Analiza visoko-frekvencijskih karakteristika FinFET struktura za komunikacijske sklopove / završni rad - diplomski/integralni studij.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 11.07. 2014., 57 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

3. Knežević, Tihomir.
Karakteristike FinFET struktura s ultra tankim tijelom pod utjecajem naprezanja / diplomski rad.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 16.07. 2009., 134 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

4. Petričević, Marijan.
Analiza MOS tranzistora realiziranih u germaniju / završni rad - preddiplomski studij.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 10.07. 2009., 35 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

5. Žilak, Josip.
Utjecaj naprezanja na karakteristike skaliranih CMOS tranzistora / diplomski rad.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 16.07. 2009., 87 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

6. Koharović, Ivan.
Karakterizacija FinFET strukture sa ultra tankim tijelom / završni rad - preddiplomski studij.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 10.06. 2008., 52 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

7. Šakić, Agata.
Analiza MOSFET-a s dvostrukom upravljačkom elektrodom u FinFET tehnologiji / diplomski rad.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 15.07. 2008., 73 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

8. Šarlija, Marko.
Mjerenja i simulacije tranzistora snage sa produženim drift područjem u standardnoj CMOS tehnologiji / diplomski rad.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 15.11. 2008., 101 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

9. Vasiljević, Igor.
Analiza tranzistora snage sa dodatnim mehanizmima osiromašenja u standardnoj CMOS tehnologiji / diplomski rad.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 15.11. 2008., 106 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
spacer.gif
 

Odabrane publikacije u CC časopisima:

  • M. Poljak et al., "Immunity of electronic and transport properties of phosphorene nanoribbons to edge defects", Nano Research, vol. 9, no. 6, pp. 1723-1734, 2016. LINK
  • M. Poljak et al., "Influence of substrate type and quality on carrier mobility in graphene nanoribbons", Journal of Applied Physics, vol. 114, no. 5, p. 053701, 2013.
  • M. Poljak et al., "Influence of edge defects, vacancies and potential fluctuations on transport properties of extremely-scaled graphene nanoribbons", IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 59, no. 12, pp. 3231-3238, 2012.
  • M. Poljak et al., "Assessment of electron mobility in ultra-thin body InGaAs-on-insulator MOSFETs using physics-based modeling", IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 59, no. 6, pp. 1636-1643, 2012.

Životopis

Mirko Poljak je postdoktorand (viši asistent) na Fakultetu elektrotehnike i računarstva Sveučilišta u Zagrebu. Na ovoj instituciji je doktorirao u svibnju 2013. u području nanoelektronike (mentori: prof.dr.sc. T. Suligoj (FER) i prof.dr.sc. K.L. Wang (UCLA)).

U 2009. se usavršavao na European School on Nanosciences and Nanotechnologies u Grenobleu (Francuska). U akad. god. 2011./2012. bio je gostujući istraživač - Fulbright Fellow - u grupi Device Research Lab, Dept. of Electrical Engineering, University of California Los Angeles (SAD). U 2014. i 2015. je bio na dva jednotjedna usavršavanja u Atomistic Simulation Centre, Queen's University Belfast, Belfast (UK).

Znanstveni rad dr. Poljaka fokusiran je na niskodimenzionalne nanoelektroničke elemente poput UTB SOI, FinFET i UTB InGaAs-OI struktura. Za vrijeme boravka na UCLA-u, istraživao je transportna i elektronska svojstva grafena i grafenskih nanovrpci, eksperimentalno i teorijski. Trenutni interesi su analiza novih 2D materijala za digitalnu, analognu i senzorsku elektroniku na nanoskali. Dr. Poljak je autor 12 radova u međunarodnim časopisima s nadprosječnim faktorom utjecaja, te preko 20 znanstvenih radova na međunarodnim konferencijama. Google Scholar profil s podacima o citiranosti njegovih radova dostupan je ovdje, podaci iz baze Scopus ovdje, a podaci iz baze Web of Science ovdje.

Dr. Poljak je dobitnik Nagrade za znanost FER-a za svjetski priznati istraživački rezultat (2016.), Nagrade Vera Johanides za mlade znanstvenike Akademije tehničkih znanosti Hrvatske (2014.), Srebrne plakete "Josip Lončar" za naročito uspješnu doktorsku disertaciju (2013.), Nagrade za znanost FER-a za iznimno postignuće u istraživačkom radu (2013.), te prestižne Fulbrightove stipendije Vlade SAD-a (2011.).

Nastava

Sveučilišni preddiplomski

Profesionalni interesi i članstva

Istraživački interesi:

  • napredni nanoelektronički elementi za digitalnu i analognu/RF elektroniku, te kemijske i bio-senzore na nanoskali
  • numeričko modeliranje i simulacije - od atomističke skale (kvantni transport) do modela elemenata za sklopovske simulacije (Verilog)
  • novi materijali (grafen, silicen, germanen, fosforen) i nove paradigme za elektroniku budućnosti (spintronika i molekularna elektronika)

Članstva u znanstvenim i strukovnim društvima:

  • IEEE Electron Devices Society
  • Hrvatska udruga MIPRO

Osobni podaci

Godina diplomiranja:
2007.
Godina doktoriranja:
2013.
Na zavodu od:
2007.

Izabrani projekti

  • HIPERSEMI (2014-2018, sponzor: HRZZ; voditelj: prof. dr. sc. T. Suligoj)
  • Nanometarski elektronički elementi i sklopovske primjene (2007-2013, sponzor: MZOŠ RH; voditelj: prof. dr. sc. T. Suligoj)
  • Horizontal current bipolar transistor (HCBT) for 0.18 μm BiCMOS integration (2008-2009, sponzor: Asahi Kasei Microdevices Co., Ltd., Japan; voditelj: prof. dr. sc. T. Suligoj)
  • Atomistic simulations of graphene nanoribbons: Bandstructure and quantum transport (2011-2012, sponzor: FENA; voditelj: prof. dr. sc. K. L. Wang)

Povijest zaposlenja

Od srpnja 2013. - postdoktorand/viši asistent na Zavodu za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave (ZEMRIS).

Od rujna 2011. do lipnja 2012. - gostujući istraživač (Fulbright Fellow) na University of California Los Angeles (UCLA), Dept. of Electrical Engineering.

Od srpnja 2007. do lipnja 2013. - znanstveni novak/asistent na Zavodu za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave (ZEMRIS).