Na FER-u postoji više zaposlenika s imenom

    prof. dr. sc. Tomislav Suligoj

    Redoviti profesor, Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave

      Udžbenici i skripta
     

    1. Poljak, Mirko; Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav.
    Sveučilišni priručnik: Rješavanje praktičnih problema iz mikroelektroničkih komponenti i poluvodičke tehnologije .
    Zagreb : FER: Manualia Universitatis studiorum Zagrabiensis, 2015.
     
      Izvorni znanstveni i pregledni radovi u CC časopisima
     

    1. Krivec, Sabina; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    The Physical Mechanisms Behind the Strain-Induced Electron Mobility Increase in InGaAs-On-InP MOSFETs. // IEEE transactions on electron devices. 65 (2018) , 7; 2784-2789 (članak, znanstveni).

    2. Osrečki, Željko; Knežević, Tihomir; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav.
    Indirect optical crosstalk reduction by highly- doped backside layer in single-photon avalanche diode arrays. // Optical and Quantum Electronics. 50 (2018) , 3; (članak, znanstveni).

    3. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    The Potential of Phosphorene Nanoribbons as Channel Material for Ultra-Scaled Transistors. // IEEE transactions on electron devices. 65 (2018) , 1; 290-294 (članak, znanstveni).

    4. Koričić, Marko; Žilak Josip; Suligoj, Tomislav.
    A High-Voltage Single-Emitter Reduced-Surface-Field Horizontal Current Bipolar Transistor for BiCMOS Integration. // IEEE transactions on electron devices. 64 (2017) , 7; 3019-3022 (članak, znanstveni).

    5. Krivec, Sabina; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    Electron mobility in ultra-thin InGaAs channels : Impact of surface orientation and different gate oxide materials. // Solid-state electronics. 115 (2016) , 1; 109-119 (članak, znanstveni).

    6. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    Quantum transport analysis of conductance variability in graphene nanoribbons with edge defects. // IEEE transactions on electron devices. 63 (2016) , 2; 537-543 (članak, znanstveni).

    7. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    Immunity of electronic and transport properties of phosphorene nanoribbons to edge defects. // Nano Research. 9 (2016) , 6; 1723-1734 (članak, znanstveni).

    8. Žilak, Josip; Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav.
    Reliability Degradation Mechanisms of Horizontal Current Bipolar Transistor. // IEEE transactions on electron devices. 63 (2016) , 11; 4409-4415 (članak, znanstveni).

    9. Koričić, Marko; Žilak, Josip; Suligoj, Tomislav.
    Double-Emitter Reduced-Surface-Field Horizontal Current Bipolar Transistor With 36 V Breakdown Integrated in BiCMOS at Zero Cost. // IEEE electron device letters. 36 (2015) , 2; 90-92 (članak, znanstveni).

    10. Poljak, Mirko; Wang, Kang L.; Suligoj, Tomislav.
    Variability of bandgap and carrier mobility caused by edge defects in ultra-narrow graphene nanoribbons. // Solid-state electronics. 108 (2015) ; 67-74 (članak, znanstveni).

    11. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.
    Influence of substrate type and quality on carrier mobility in graphene nanoribbons. // Journal of applied physics. 114 (2013) , 5; 053701-1-053701-8 (članak, znanstveni).

    12. Poljak, Mirko; Wang, Minsheng; Song, Emil B.; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.
    Disorder-induced variability of transport properties of sub-5 nm-wide graphene nanoribbons. // Solid-state electronics. 84 (2013) , 6; 103-111 (članak, znanstveni).

    13. Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Morita, So-ichi; Mochizuki, Hidenori; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya.
    Double-Emitter HCBT Structure—A High-Voltage Bipolar Transistor for BiCMOS Integration. // IEEE transactions on electron devices. 59 (2012) , 12; 3647-3650 (članak, znanstveni).

    14. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Grgec, Dalibor; Suligoj, Tomislav.
    Assessment of electron mobility in ultra-thin body InGaAs-on-insulator MOSFETs using physics-based modeling. // IEEE transactions on electron devices. 59 (2012) , 6; 1636-1643 (članak, znanstveni).

    15. Poljak, Mirko; Song, Emil B.; Wang, Minsheng; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.
    Influence of edge defects, vacancies and potential fluctuations on transport properties of extremely-scaled graphene nanoribbons. // IEEE transactions on electron devices. 59 (2012) , 12; 3231-3238 (članak, znanstveni).

    16. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Modeling study on carrier mobility in ultra-thin body FinFETs with circuit-level implications. // Solid-state electronics. 65/66 (2011) ; 130-138 (članak, znanstveni).

    17. Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Poljak, Mirko; Civale, Yann; Nanver, Lis K.
    Ultra-high aspect-ratio FinFET technology. // Solid-state electronics. 54 (2010) , 9; 870-876 (članak, znanstveni).

    18. Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya.
    Design considerations for integration of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) with 0.18 μm bulk CMOS technology. // Solid-state electronics. 54 (2010) , 10; 1166-1172 (članak, znanstveni).

    19. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Suppression of Corner Effects in Wide-Channel Triple-Gate Bulk FinFETs. // Microelectronic Engineering. 87 (2010) , 2; 192-199 (članak, znanstveni).

    20. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya.
    Horizontal Current Bipolar Transistor With a Single Polysilicon Region for Improved High-Frequency Performance of BiCMOS ICs. // IEEE electron device letters. 31 (2010) , 6; 534-536 (članak, znanstveni).

    21. Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Analysis of Subthreshold Conduction in Short-Channel Recessed Source/Drain UTB SOI MOSFETs. // Solid-state electronics. 54 (2010) , 5; 545-551 (članak, znanstveni).

    22. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Improving bulk FinFET DC performance in comparison to SOI FinFET. // Microelectronic engineering. 86 (2009) , 10; 2078-2085 (članak, znanstveni).

    23. Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Analytical Models of Front- and Back-Gate Potential Distribution and Threshold Voltage for Recessed Source/Drain UTB SOI MOSFETs. // Solid-state electronics. 53 (2009) , 5; 540-547 (članak, znanstveni).

    24. Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Vertical silicon-on-nothing FET: Threshold voltage calculation using compact capacitance model. // Solid-State Electronics. 52 (2008) , 10; 1505-1511 (članak, znanstveni).

    25. Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar; Sin, J.K.O.; Wang, Kang L.
    A New HCBT with a Partially Etched Collector. // IEEE electron device letters. 26 (2005) , 3; 200-202 (članak, znanstveni).

    26. Suligoj, Tomislav; Sin, J.K.O.; Wang, Kang L.
    Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Process Variations for Future RF BiCMOS Applications. // IEEE transactions on electron devices. 52 (2005) , 7; 1392-1398 (članak, znanstveni).

    27. Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.
    A Novel Isolation of Pillar-like Structures by the Chemical-Mechanical Polishing and Etch-Back Process. // Electrochemical and solid-state letters. 8 (2005) , 5; G125-G127 (članak, znanstveni).

    28. Thompson, Phillip E.; Jernigan, Glenn; Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Suligoj, Tomislav.
    Vertical SiGe-based Silicon-on-Nothing (SON) Technology for Sub-30nm MOS Devices. // Materials science in semiconductor processing. 8 (2005) , 1-3; 51-57 (članak, znanstveni).

    29. Suligoj, Tomislav; Liu, H.; Sin, J.K.O.; Tsui, K.; Chu, R.; Chen, K.J.; Biljanovic, Petar; Wang, Kang L.
    A Low-cost Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology for the BiCMOS Integration with FinFETs. // Solid-state electronics. 48 (2004) , 10-11; 2047-2050 (članak, znanstveni).

    30. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, Petar; Wang, Kang L.
    Fabrication of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT). // IEEE Transactions on Electron Devices. 50 (2003) , 7; 1645-1651 (članak, znanstveni).

    31. Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav.
    Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT): A New Concept of Silicon Bipolar Transistor Technology. // IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, NOVEMBER 2001. 48 (2001) , 11; 2551-2554 (članak, znanstveni).
     
      Znanstveni radovi u drugim časopisima
     

    1. Knežević, Tihomir; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav.
    Silicon Drift Detectors with the Drift Field Induced by PureB-Coated Trenches. // Photonics. 3 (2016) , 4; 54-1-54-18 (članak, znanstveni).

    2. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Žilak, Josip; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-Ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya.
    Horizontal current bipolar transistor (HCBT) - a low-cost, high-performance flexible BiCMOS technology for RF communication applications. // Facta universitatis - series: Electronics and Energetics. 28 (2015) , 4; 507-525 (članak, znanstveni).

    3. Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav.
    BVCEO Engineering in SOI LBT Structure with Top Contacted Base. // Informacije MIDEM Journal of Microelectronics, Electronic Components and Materials. 41 (2011) , 2; 77-85 (članak, znanstveni).

    4. Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Vertical Silicon-on-Nothing FET: Subthreshold Slope Calculation Using Compact Capacitance Model. // Informacije MIDEM Journal of Microelectronics, Electronic Components and materials. 38 (2008) , 1; 1-4 (članak, znanstveni).
     
      Ostali radovi u drugim časopisima
     

    1. Butković, Željko; Suligoj, Tomislav.
    Mikroelektonika. // Automatika. 43 (2002) , 1-2; 91-96 (pregledni rad, pregledni).
     
      Objavljena pozvana predavanja na skupovima
     

    1. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Žilak, Josip.
    Innovative Bipolar-CMOS Integration for RF Communication Circuits with Low-Cost High-Performance Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) // Proceedings of the 2017 IEEE 30th International Conference on Microelectronics.
    IEEE Electron Devices Society 19-26 (pozvano predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
     
      Znanstveni radovi u zbornicima skupova s međunar.rec.
     

    1. Knezevic, Tihomir; Nanver, Lis K.; Capan, Ivana; Suligoj, Tomislav.
    Non-linear behavior of Al-contacted pure amorphous boron (PureB) devices at low temperatures // Proceedings of the 41st International Convention MIPRO 2018 / Biljanovic, Petar (ur.).
    Rijeka : IEEE, 2018. 12-17 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    2. Knezevic, Tihomir; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav.
    2D dark-count-rate modeling of PureB single-photon avalanche diodes in a TCAD environment // Proceedings of SPIE Vol. 10526 / Witzigmann, Bernd ; Osiński, Marek ; Arakawa, Yasuhiko (ur.).
    San Francisco : SPIE, 2018. (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    3. Koričić, Marko; Žilak, Josip; Osrečki, Željko; Suligoj, Tomislav.
    Analysis of Tunable BVCEO in Horizontal Current Bipolar Transistor with Floating Field Plates // Proceedings of the 41st International Convention MIPRO 2018.
    2018. 66-71 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    4. Osrečki, Željko; Žilak, Josip; Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav.
    Large-signal characterization of horizontal current bipolar transistor (HCBT) by load-pull measurements // Proceedings of the 41st International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO).
    IEEE, 2018. 72-77 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    5. Knežević, Tihomir; Lis K. Nanver; Suligoj, Tomislav.
    Perimeter effects from interfaces in ultra-thin layers deposited on nanometer-deep p+n silicon junctions // Proceedings of the 40th International Convention MIPRO 2017 / Petar Biljanović (ur.).
    Rijeka : Croatian Society MIPRO, 2017. 80-84 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    6. Koričić, Marko; Žilak, Josip; Suligoj, Tomislav.
    Impact of the Local p-well Substrate Parameters on the Electrical Performance of the Double- Emitter Reduced-Surface-Field Horizontal Current Bipolar Transistor // Proceedings of the 40th International Convention MIPRO 2017 / Biljanović, Petar (ur.).
    Rijeka, 2017. 91-95 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    7. Koričić, Marko; Žilak, Josip; Suligoj, Tomislav.
    Improving the Horizontal Current Bipolar Transistor Breakdown Voltage by Floating Field Plates // Proceedings of the 2017 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
    2017. 130-133 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    8. Krivec, Sabina; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    Strain-induced increase of electron mobility in ultra-thin InGaAs-OI MOS transistors // Proceedings of the 3rd Joint EUROSOI-ULIS Conference 2017.
    2017. 136-139 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    9. Osrečki, Željko; Knežević, Tihomir; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav.
    Indirect optical crosstalk reduction by highly- doped backside layer in PureB single-photon avalanche diode arrays // Proceedings of the 17th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD 2017) / Piprek, Joachim (ur.).
    IEEE, 2017. 69-70 (poster,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    10. Žilak, Josip; Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav.
    Analysis of Hot Carrier-Induced Degradation of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) // Proceedings of the 40th International Convention MIPRO 2017 / Biljanović, Petar (ur.).
    Rijeka : Croatian Society for Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics - MIPRO, 2017. 85-90 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    11. Berdalović, Ivan; Osrečki, Željko; Šegmanović, Filip; Grubišić, Dragan; Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav.
    Design of Passive-Quenching Active-Reset Circuit with Adjustable Hold-Off Time for Single-Photon Avalanche Diodes // Proceedings of the 39th International Convention MIPRO 2016 / Biljanović, Petar (ur.).
    Rijeka : Croatian Society MIPRO, 2016. 40-45 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    12. Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav.
    Analysis of Electrical and Optical Characteristics of InP/InGaAs Avalanche Photodiodes in Linear Regime by a New Simulation Environment // Proceedings of the 39th International Convention MIPRO 2016 / Biljanović, Petar (ur.).
    Rijeka : Croatian Society MIPRO, 2016. 34-39 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    13. Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav.
    Examination of the InP/InGaAs single-photon avalanche diodes by establishing a new TCAD-based simulation environment // 2016 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) / Eberhard Bar, Jurgen Lorenz, Peter Pichler (ur.).
    Nuremberg, 2016. 57-60 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    14. Koričić, Marko; Žilak, Josip; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Suligoj, Tomislav.
    Fully-integrated Voltage Controlled Oscillator in Low-cost HCBT Technology // Proceedings of the 39th International Convention MIPRO 2016 / Biljanović, Petar (ur.).
    Biljanović, Petar : Croatian Society for Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics - MIPRO, 2016. 45-50 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    15. Koričić, Marko; Žilak, Josip; Suligoj, Tomislav.
    Investigation of Double-Emitter Reduced-Surface-Field Horizontal Current Bipolar Transistor Breakdown Mechanisms // Proceedings of the 2016 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
    IEEE, 2016. 25-28 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    16. Žilak, Josip; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Suligoj, Tomislav.
    Impact of the Emitter Polysilicon Thickness on the Performance of High-Linearity Mixers with Horizontal Current Bipolar Transistors // Proceedings of the 39th International Convention MIPRO 2016 / Biljanović, Petar (ur.).
    Rijeka : Croatian Society for Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics - MIPRO, 2016. 40-44 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    17. Žilak, Josip; Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi.
    A Low-Cost 180nm BiCMOS Technology with Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) for Wireless Communication ICs // European Microwave Week 2016 Conference Proceedings.
    European Microwave Association, 2016. 373-376 (poster,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    18. Janeković, Ivan; Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav; Grubišić, Dragan.
    Optimization of floating guard ring parameters in separate-absorption-and-multiplication silicon avalanche photodiode structure // Proceedings of the 38th International Convention MIPRO 2015 / Biljanović, Petar (ur.).
    Rijeka : GRAFIK, 2015. 37-41 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    19. Koričić, Marko; Žilak, Josip; Suligoj, Tomislav.
    Impact of the emitter length scaling on electrical characteristics of horizontal current bipolar transistor with single polysilicon region // Proceedings of the 38th International Convention MIPRO 2015 / Biljanović, Petar (ur.).
    Rijeka : GRAFIK, 2015. 31-36 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    20. Krivec, Sabina; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    Impact of different gate insulator materials on the electron mobility in ultra-thin (100) InGaAs-on-insulator MOS devices // Proceedings of the 38th International Convention MIPRO 2015 / Biljanović, Petar (ur.).
    Rijeka : GRAFIK, 2015. 25-30 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    21. Poljak, Mirko; Krivec, Sabina; Suligoj, Tomislav.
    On the enhancement of electron mobility in ultra-thin (111)-oriented In0.53Ga0.47As channels // Proceedings of the First Joint EUROSOI-ULIS Conference 2015 / Palestri, Pierpaolo ; Gnani, Elena (ur.).
    Bologna, 2015. 117-120 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    22. Žilak, Josip; Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi.
    Impact of Emitter Interface Treatment on the Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Characteristics and RF Circuit Performance // Proceedings of the 2015 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
    Boston, MA : IEEE, 2015. 31-34 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    23. Ivanić, Vedran; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    Phonon-limited hole mobility in sub-20 nm-thick double-gate germanium MOSFETs // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
    Rijeka : GRAFIK, 2014. 45-50 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    24. Krivec, Sabina; Prgić, Hrvoje; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    Comparison of RF performance between 20 nm-gate bulk and SOI FinFET // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
    Rijeka : GRAFIK, 2014. 51-56 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    25. Poljak, Mirko; Wang, Kang L.; Suligoj, Tomislav.
    Sensitivity of carrier mobility to edge defects in ultra-narrow graphene nanoribbons // Proceedings of the International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS) 2014 / Mikael Ostling ; Per-Erik Hellstrom ; Gunnar Malm (ur.).
    Stockholm : KTH, 2014. 1-4 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    26. Poljak, Mirko; Wang, Minsheng; Žonja, Sanja; Đerek, Vedran; Ivanda, Mile; Wang, Kang L.; Suligoj, Tomislav.
    Impact of microstrip width and annealing time on the characteristics of micro-scale graphene FETs // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
    Rijeka : GRAFIK, 2014. 33-38 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    27. Žilak, Josip; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya; Suligoj, Tomislav.
    Examination of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Reliability Characteristics // Proceedings of the 2014 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
    IEEE, 2014. 37-40 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    28. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Žilak, Josip; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya.
    Optimization of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology Parameters for Linearity in RF Mixer // Proceedings of the 2013 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
    IEEE, 2013. 13-16 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    29. Žonja, Sanja; Očko, Miroslav; Ivanda, Mile; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar.
    On the application of boron and phosphorus heavily doped LPCVD polycrystalline silicon thin films as thermoelectric materials // .
    (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    30. Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav; Šakić, Agata; Nanver, Lis K.
    Modelling of Electrical Characteristics of Ultrashallow Pure Amorphous Boron p+n Junctions // MIPRO 2012 - 35th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics - Proceedings / Biljanović, Petar (ur.).
    Rijeka : Croatian Society MIPRO, 2012. 42-47 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    31. Poljak, Mirko; Song, Emil B.; Wang, Minsheng; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.
    Effects of Disorder on Transport Properties of Extremely Scaled Graphene Nanoribbons // Proceedings of the 42nd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) / Deval, Yann ; Zimmer, Thomas ; Skotnicki, Thomas (ur.).
    Bordeaux : IEEE, 2012. 298-301 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    32. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya.
    Examination of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) with Double and Single Polysilicon Region // Proceedings of the 2012 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
    IEEE, 2012. 5-8 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    33. Žilak, Josip; Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav.
    Impact of Bipolar Transistor Parameters on the Characteristics of the Double-Balanced Mixer // MIPRO 2012 - 35th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics / Biljanović, Petar (ur.).
    Rijeka : Croatian Society MIPRO, 2012. 97-102 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    34. Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav; Šakić, Agata; Nanver, Lis K.
    Optimization of the perimeter doping of ultrashallow p+-n--n- photodiodes // MIPRO 2011 - 34th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics - Proceedings / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
    Zagreb : Croatian Society MIPRO, 2011. 44-48 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    35. Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya.
    Examination of Novel High-voltage Double-emitter Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) // Proceedings of the 2011 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
    IEEE, 2011. 5-8 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    36. Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya.
    Impact of the collector region fabrication on electrical characteristics of HCBT structures in 180 nm BiCMOS technology // Proceedings of MIPRO 2011, Vol.1. MEET&GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
    Zagreb : MIPRO, 2011. 61-65 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    37. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Physics-Based Modeling of Hole Mobility in Ultrathin-Body Silicon-On-Insulator MOSFETs // Proceedings of the 34th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO) - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
    Zagreb : DENONA, 2011. 71-76 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    38. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Investigation of Hole Mobility in Ultrathin-Body SOI MOSFETs on (110) Surface: Effects of Silicon Thickness and Body Doping // Proceedings of the 2011 IEEE International SOI Conference / W. Xiong (ur.).
    Tempe, Arizona, USA : IEEE, 2011. 114-115 (poster,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    39. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Features of Electron Mobility in Ultrathin-Body InGaAs-On-Insulator MOSFETs down to Body Thickness of 2 nm // Proceedings of the 2011 IEEE International SOI Conference / W. Xiong (ur.).
    Tempe, Arizona, SAD : IEEE, 2011. 156-157 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    40. Žonja, Sanja; Ivanda, Mile; Očko, Miroslav; Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, Petar.
    Structural and Electronic Properties of Heavily Phosphorus Doped Polycrystalline Silicon Thin Films // Proceedings of 34th International Convention MIPRO 2011 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
    Rijeka : Denona, Zagreb, 2011. 55-60 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    41. Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.
    Extrinsic base effect on the Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) electrical characteristics // Proceedings of the 46th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials (MIDEM) / Đonlagić, D. ; Šorli, I. ; Šorli, P. (ur.).
    Ljubljana : BIRO M, 2010. 95-100 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    42. Mavrek, Elena; Lončarić, Ivan; Poljak, Ivan; Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav.
    Effect of parasitic RLC parameters in bias networks on ECL delay time // Proceedings of the 33rd International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
    Zagreb : Denona, 2010. 99-103 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    43. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Orientation-Dependent Electron Mobility Behavior with Downscaling of Fin-Width in Double- and Triple-Gate SOI FinFETs // Proceedings of the 11th International Conference on Ultimate Integration on Silicon / S. Roy (ur.).
    Glasgow, 2010. 21-24 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    44. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Quantum-Mechanical Modeling of Phonon-Limited Electron Mobility in Bulk MOSFETs, Ultrathin-Body SOI MOSFETs and Double-Gate MOSFETs for Different Orientations // Proceedings of the 33rd International Convention MIPRO - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
    Zagreb : Denona, 2010. 74-79 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    45. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Modeling study on carrier mobility in ultra-thin body FinFETs with circuit-level implications // Proceedings of the 40th European Solid-State Device Research Conference / Gamiz, Francisco ; Godoy, Andres (ur.).
    Seville : IEEE, 2010. 242-245 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    46. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Physical mechanisms of electron mobility behavior in ultra-thin body double-gate MOSFETs with (100) and (111) active surfaces // Proceedings of the 46th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials (MIDEM) / Đonlagić, D. ; Šorli, I. ; Šorli, P. (ur.).
    Ljubljana : BIRO M, 2010. 101-105 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    47. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.
    Collector Region Design and Optimization in Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) // Proceedings of the 2010 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting / Ngo, David ; Alvin, Joseph (ur.).
    Austin : IEEE, 2010. 212-215 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    48. Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    2-D front- and back-gate potential distribution model of submicrometer VFD SONFET // Proceedings of the 33rd International Convention MIPRO / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
    Zagreb : Denona, 2010. 69-73 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    49. Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav; Poljak, Mirko.
    Bulk-Si FinFET Technology for Ultra-High Aspect-Ratio Devices // Proceedings of the 39th European Solid-State Device Research Conference / Tsoukalas, D. ; Dimoulas, A. (ur.).
    Athens : IEEE, 2009. 241-244 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    50. Jovanović, Vladimir; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    FinFET Considerations for 0.18 um Technology // Proceedings of 45th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials MIDEM 2009 / Topič M. ; Krč, J. ; Šorli, I. (ur.).
    Ljubljana, Slovenija : MIDEM Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials, 2009. 91-96 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    51. Jovanović, Vladimir; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav; Civale, Yann; Nanver, Lis K.
    1.9 nm Wide Ultra-High Aspect-Ratio Bulk-Si FinFETs // Device Research Conference - Conference Digest / Koester, S. ; Gundlach, D. ; Fay, P. (ur.).
    IEEE, 2009. 261-262 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    52. Knežević, Tihomir; Žilak, Josip; Suligoj, Tomislav.
    Stress Effect in Ultra-Narrow FinFET Structures // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
    Zagreb : Croatian Society MIPRO, 2009. 89-94 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    53. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Quantum Confinement and Scaling Effects in Ultra-Thin Body Double-Gate FinFETs // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
    Rijeka : Croatian Society for Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics - MIPRO, 2009. 95-100 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    54. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Suppression of Corner Effects in Triple-Gate Bulk FinFETs // Proceedings of the International IEEE Conference EUROCON 2009 / Mironenko, I. ; Mikerov, A. (ur.).
    St. Petersburg : IEEE, 2009. 1-6 (poster,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    55. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Optimum Body Thickness of (111)-oriented Ultra-Thin Body Double-Gate MOSFETs with Respect to Quantum-Calculated Phonon-Limited Mobility // Proceedings of the International Semiconductor Device Research Symposium 2009 / Jones, Ken ; Dilli, Zeynep (ur.).
    College Park : IEEE, 2009. 1-2 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    56. Šarlija, Marko; Vasiljević, Igor; Suligoj, Tomislav.
    Power MOS Transistors Integrated in Standard CMOS Technology without any Increase in Process Complexity // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
    Zagreb : Croatian Society MIPRO, 2009. 101-106 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    57. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.
    Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) for the Low-cost BiCMOS Technology // Proceedings of the 39th European Solid-State Device Research Conference / Tsoukalas, D. ; Dimoulas, A. (ur.).
    Athens : IEEE, 2009. 359-362 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    58. Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Compact Capacitance Model for Drain-Induced Barrier-Lowering of Vertical SONFET // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
    Rijeka : Croatian Society for Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics - MIPRO, 2009. 85-88 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    59. Žilak, Josip; Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav.
    Optimization of Stress Distribution in Sub-45 nm CMOS Structures // Proceedings of 45th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials MIDEM 2009 / Topič M. ; Krč, J. ; Šorli, I. (ur.).
    Ljubljana, Slovenija : MIDEM Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials, 2009. 85-90 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    60. Žonja, Sanja; Ivanda, Mile; Očko, M.; Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.
    Electrical activation of phosphorus by rapid thermal annealing of doped amorphous silicon films // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
    Rijeka : Croatian Society for Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics - MIPRO, 2009. 46-51 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    61. Hoellt, Lothar; Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Suligoj, Tomislav; Jovanović, Vladimir; Thompson, Phill E.
    First sub-30nm vertical Silicon-On-Nothing MOSFET // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
    Zagreb : Denona, 2008. 90-95 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    62. Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar : Nanver, Lis K.
    FinFET technology for wide-channel devices with ultra-thin silicon body // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
    Zagreb : Denona, 2008. 79-83 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    63. Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Nanver, Lis K.
    Silicon-Etching For Ultra-High Aspect-Ratio FinFET // Transactions of the 213th Electrochemical Society Meeting ECS 2008 / Timans, P.J. ; Gusev, E.P. ; Iwai, H. ; Kwong, D.L. ; Ozturk, M.C. ; Roozeboom, F. (ur.).
    Pennington, NJ, USA : ECS, 2008. 313-320 (poster,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    64. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    SOI vs. Bulk FinFET: Body Doping and Corner Effects Influence on Device Characteristics // Proceedings of the 14th IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference (MELECON) / G. A. Capolino, J. F. Santucci (ur.).
    Ajaccio : IEEE, 2008. 425-430 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    65. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Properties of Bulk FinFET with High-κ Gate Dielectric and Metal Gate Electrode // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
    Zagreb : Denona, 2008. 73-78 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    66. Šakić, Agata; Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Influence of Scaling and Source/Drain Series Resistance on the Characteristics of Ultra-Thin Body FinFETs // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
    Zagreb : Denona, 2008. 84-89 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    67. Jovanović, Vladimir; Milosavljević, Silvana; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar.
    Sub-100 nm Silicon Nitride Hard-Mask for High Aspect Ratio Silicon Fins // Proceedings of MIPRO 2007, MEET & HGS / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
    Rijeka : MIPRO, 2007. 62-66 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    68. Poljak, Mirko; Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav.
    Comparison of 1D and 2D model of quantum effects in the simulation of sub-50 nm double-gate MOSFETs // Proceedings of the 30th International Convention MIPRO 2007 / P. Biljanović, K. Skala (ur.).
    Rijeka, 2007. 78-83 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    69. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Technological constrains of bulk FinFET structure in comparison with SOI FinFET // Proceedings of International Semiconductor Device Research Symposium / Jones, K. (ur.).
    College Park - Washington, USA, 2007. (poster,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    70. Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Vertical silicon-on-nothing FET: analytical model of subthreshold slope // 43rd INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS, DEVICES AND MATERIALS AND THE WORKSHOP ON ELECTRONIC TESTING / Trontelj, J. ; Novak, F. ; Šorli, I. (ur.).
    Ljubljana, Slovenija : MIDEM, 2007. 71-74 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    71. Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Vertical Silicon-on-Nothing FET: Treshold Voltage Calculation Using Compact Capacitance Model // 2007 International Semiconductor Device Research Symposium / Jones, Ken (ur.).
    Maryland, USA, 2007. (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    72. Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Vertical Silicon-on-Nothing FET: Capacitance-Voltage Compact Modeling // Proceedings of the 30th International Convention MIPRO 2007 / P. Biljanović, K. Skala (ur.).
    Rijeka : Studio Hofbauer, 2007. 84-88 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    73. Jovanović, Vladimir; Milosavljević, Silvana; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav.
    Application of spacer hard-masks for sub-100 nm wide silicon fin-etching // Proceedings of 9th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors, SAFE 2006.
    (poster,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    74. Koričić, Marko; Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav.
    Properties of Lateral Bipolar Transistors in SiGe Technology // Proceedings of MIPRO 2006 / Biljanović, Skala (ur.).
    Rijeka : MIPRO, 2006. 68-71 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    75. Perić, Mario; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar; Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Thompson, Phillip E.; Jernigan, Glenn.
    Influence of Silicon Body Thickness of Vertical Silicon on Nothing (SON) MOSFET with Nitride Nate Dielectric on Electrical Characteristics // 42nd INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS, DEVICES AND MATERIALS AND THE WORKSHOP ON MEMS AND NEMS / Vrtačnik, D. ; Amon, S. ; Šorli I. (ur.).
    Ljubljana : MIDEM, 2006. 119-124 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    76. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, Petar.
    A BVCEO Engineering in Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology // Proceedings of MELECON 2006.
    2006. 137-140 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    77. Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Jernigan, Glenn; Thompson, Phill E.
    Characteristics of 30 nm Long Vertical Silicon-on-Nothing (SON) MOSFET // Proceedings of MIPRO 2005.
    (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    78. Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Thompson, Phillip E.; Jernigan, Glenn; Bassim, N.; Suligoj, Tomislav.
    Silicon-Germanium-Based Combined MBE and CVD Processing for Vertical "Silicon-on-Nothing" (SON) Device Technology // .
    (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    79. Koričić, Marko; Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav.
    Lateral Bipolar Transistor's Extrinsic Base Design for Better fT vs BVCEO Solution // Proceedings / MELECON 2004 / Matijašević, Maja ; Pejčinović, Branimir ; Tomšić, Željko ; Butković, Željko (ur.).
    Zagreb : The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc., 2004. 39-42 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    80. Koričić, Marko; Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav.
    Improvement of fT vs BVCEO Trade-off by Extrinsic Base Design Optimization // Proceedings / MIPRO 2004 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
    Rijeka : MIPRO, 2004. 45-48 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    81. Koričić, Marko; Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav.
    Influence of the Charge Sharing Effect on BVCE0 vs fT Trade-off Solution // Proceedings of the MIDEM Conference 2004 / Trontelj, Janez ; Cvikl, Bruno ; Šorli, Iztok (ur.).
    Ljubljana : Multikop, 2004. 145-150 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    82. Koričić, Marko; Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav.
    Improvement of BVCEO vs fT Trade-off by Charge Sharing Effect // CAS 2004 Proceedings / Dascalu, Dan (ur.).
    Bukurešt : The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc., 2004. 355-358 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    83. Radinković, Ivica; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Jernigan, Glenn; Thompson, Phillip E.
    Scaling Properties of Vertical Silicon-on-Nothing (SON) MOSFETs // Proceedings / MIPRO 2004 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
    Zagreb : MIPRO, 2004. 49-52 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    84. Suligoj, Tomislav; Biljanovic, Petar; Sin, Johnny K.O.; Wang, Kang L.
    A Novel Low-cost Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) with the Reduced Parasitics // Proceedings of the 2004 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
    IEEE, 2004. 36-39 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    85. Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar.
    Investigation of the Extrinsic Base Effect on High Frequency Performance of Lateral Bipolar Transistor (LBT) with Laterally Contacted Base // The Proceedings of the MIDEM 2003 Conference / Pignatel, Giorgio ; Žemva, Andrej ; Šorli, Iztok (ur.).
    Ljubljana : MIDEM, 2003. 207-212 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    86. Suligoj, Tomislav; Liu, Haitao; Sin, Johny K.O.; Tsui, Kenneth; Chen, Kevin J.; Biljanović, Petar; Wang, Kang L.
    A Low-cost Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology for the BiCMOS Integration with FinFETs // Proc. of Int. Semiconductor Device Research Symposium.
    Washington D.C., 2003. 518-519 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    87. Divković-Pukšec, Julijana; Suligoj, Tomislav.
    Estimation of Deep Trap Concentration Using Capacitance Voltage Measurements // Proceedings of MIPRO 2002 / Biljanović, Petar; Skala, Karolj (ur.).
    Rijeka : MIPRO, 2002. 6-11 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    88. Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar.
    Effect of Extrinsic Base on the High-Frequency Performance of Lateral Bipolar Transistors // Proceedings of MIPRO 2002 / Biljanović, Petar; Skala, Karolj (ur.).
    Rijeka : MIPRO, 2002. 12-16 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    89. Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar; Wang, Kang-L.
    A Novel Horizontal Current Bipolar Transistor for Vertical BiCMOS Integration // Device Research Conference - Conference digest.
    2002. 89-90 (poster,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    90. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, Petar.
    High-Frequency Analysis of SOI Lateral Bipolar Transistor (LBT) Structure for RF Analog Applications // Proc. of ICECS 2002 / Barić, Adrijan; Magjarević, Ratko; Pejčinović, Branimir (ur.).
    2002. 1191-1194 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    91. Suligoj, Tomislav; Wang, Kang Lung; Koričić, Marko; Biljanović, Petar.
    A New Compact Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Fabricated in (110) Wafers // Proceedings of the ESSDERC 2002 / Baccarani, G.; Gnani, E.; Rudan, M. (ur.).
    Bologna : University of Bologna, 2002. 607-609 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    92. Hong, S.; Zhang, Y.; Luo, Y.; Suligoj, T.; Kim, S.D.; Woo, J.C.S.; Hradsky, B.; Li, R.; Min, B.W.; Vandooren, A.; Nguyen, B.Y.; Wang, K.L.
    ., Novel Direct-Tunneling-Current (DTC) Method for Channel Length Extraction Beyond Sub-50 nm Gate CMOS // Proceedings of International Electron Devices Meeting IEDM 2001.
    IEEE, 2001. (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    93. Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar; Wang, K. L.
    The Use of Chemical-Mechanical Polishing and Etch-Back Techniques for Bottom Isolation of Pillar-like Devices // Proceedings of MIPRO 2001 / Biljanović, Petar; Skala, Karolj (ur.).
    Rijeka : MIPRO, Croatia, 2001. 3-6 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    94. Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav.
    Thermionic Emission Process in Carrier Transport in pn Homojunctions // Proceedings of MELECON 2000, Vol. I / Economides, Costas ; Pattichis, Constantinos S. ; Maliotis, Greg (ur.).
    Lemesos : IEEE, 2000. 248-251 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    95. Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar.
    Voltage and Concentration Dependance of High Frequency Parameters of Narrow Base Bipolar Transistors // Proceedings of MIPRO 2000 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj ; Ribarić, Slobodan ; Budin, Leo (ur.).
    Rijeka : MIPRO 2000, 2000. 9-15 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    96. Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar.
    The Effective Collector-Base Junction Capacitance // Proceedings of MIPRO 2000 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj ; Ribarić, Slobodan ; Budin, Leo (ur.).
    Rijeka : MIPRO, Croatia, 2000. 5-8 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    97. Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar.
    Mesh Structure Adjustment in 2D Simulation of VLSI Super Self-Aligned Si Bipolar Transistor // 1999 IEEE Africon.
    1999. 1167-1172 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    98. Divković-Pukšec, Julijana; Suligoj, Tomislav.
    The Effect of Bipolar Transistor Design on the Cutoff Frequency // Proceedings MIPRO ´98, Vol. 1 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj ; Ribarić, Slobodan ; Budin, Leo (ur.).
    Rijeka : MIPRO, 1998. 14-17 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    99. Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar.
    The Analysis of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT): A Novel Silicon Bipolar Device // Proceedings of MELECON ´98, Vol. I / Baal-Schem, Jacob (ur.).
    Tel-Aviv : IEEE, 1998. 367-371 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    100. Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar.
    Punchthrough Voltage Analyses and its Effect on Bipolar Device Performance // Proceedings of MIPRO "97 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj ; Ribarić, Slobodan ; Budin, Leo (ur.).
    Rijeka, Hrvatska : MIPRO, Croatia, 1997. 9-12 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
     
      Radovi u zbornicima skupova bez recenzije
     

    1. Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav.
    50 godina tranzistora - otkriće i posljedice // MIPRO '98 - Plenarne teme / Filiferović, Mihajlo (ur.).
    Rijeka : MIPRO, 1998. 1-7 (predavanje,objavljeni rad).
     
      Sažeci u zbornicima skupova
     

    1. Tihomir Knežević; Lis K. Nanver; Tomislav Suligoj.
    TCAD-based Simulation Study of the 2D Dark Count Rate in InGaAs/InP Single Photon Avalanche Diodes Employing Standoff Breakdown Suppression Design // EMN Mauritius Meeting 2017 Program & Abstract.
    2017. 20-21 (pozvano predavanje,znanstveni).

    2. Žonja, Sanja; Očko, Miroslav; Ivanda, Mile; Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, Petar.
    Tanki slojevi fosforom visokodopiranog polikristalnog silicija s mogućom primjenom na području termoelektrika // Knjiga sažetaka 7. znanstvenog sastanaka HFD-a.
    (poster,sažetak,znanstveni).

    3. Žonja, Sanja; Očko, Miroslav; Ivanda, Mile; Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, Petar.
    Heavily phosphorus doped polycrystalline silicon with the application in the field of thermoelectrics // .
    (poster,sažetak,znanstveni).

    4. Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.
    Design Considerations for Integration of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) with 0.18 μm Bulk CMOS Technology // Proceedings of the International Semiconductor Device Research Symposium 2009 / Jones, Ken ; Dilli, Zeynep (ur.).
    College Park, MD, SAD : IEEE, 2009. 1-2 (predavanje,međunarodna recenzija,sažetak,znanstveni).
     
      Neobjavljena sudjelovanja na skupovima
     

    1. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    Electron Transport in Thin-Body InGaAs-OI MOSFETs: A Theoretical Viewpoint // 2014 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) - Workshop on Carrier Transport in Nano-Transistors / Tsuchiya, H. ; Kamakura, Y. (ur.).
    Yokohama, Japan, 2014. 1-42 (pozvano predavanje,međunarodna recenzija,ppt prezentacija,znanstveni).
     
      Magistarski radovi
     

    1. Suligoj, Tomislav.
    Analiza električkih i tehnoloških karakteristika bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje / magistarski rad.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 23.06. 1998., 72 str. Voditelj: Biljanović, Petar.
     
      Druge vrste radova
     

    1. Suligoj, Tomislav; Knežević, Tihomir.
    Avalanche Photodiode Simulations, 2014. (ekspertiza).

    2. Suligoj, Tomislav; Knežević Tihomir; Poljak, Mirko; Žonja, Sanja; Žilak, Josip.
    PureB layers – XRD measurements and temperature characteristics, 2014. (ekspertiza).

    3. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Knežević, Tihomir; Poljak, Mirko; Žilak, Josip.
    Large Area Reverse Structure Avalanche Photodiode Simulations, 2014. (ekspertiza).

    4. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Poljak, Mirko; Žonja, Sanja; Knežević, Tihomir; Žilak, Josip.
    Design of a scalable model of GaN devices, 2014. (ekspertiza).

    5. Babić, Dubravko; Suligoj, Tomislav; Poljak, Mirko.
    Stanje i budućnost mikroelektronike i elektroničke tehnologije kod nas i u svijetu - Prilika za uključenje, 2013. (popularan rad).

    6. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    MORGANA - Semi-classical carrier mobility simulator for graphene nanoribbons on different substrates, 2013. (računalni programski paket).

    7. Suligoj, Tomislav; Knežević, Tihomir; Poljak, Mirko; Žilak, Josip.
    Spectroscopic elipsometry and Internal photoemission characterization of of PureB layers, 2013. (ekspertiza).

    8. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Knežević, Tihomir; Poljak, Mirko; Žilak, Josip.
    XPS Data interpretation of PureB layers, 2013. (ekspertiza).

    9. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    QUDEN - Atomistic quantum transport (NEGF) simulator for studies of transport properties of graphene nanoribbons, 2012. (računalni programski paket).

    10. Suligoj, Tomislav; Knežević, Tihomir; Poljak, Mirko; Žonja, Sanja; Žilak, Josip.
    Optimization of diode capacitance of Annular BS detector, 2012. (ekspertiza).

    11. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    INGA - Simulator of electron mobility for single and double-gate ultra-thin body InGaAs-on-insulator transistors, 2011. (računalni programski paket).

    12. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Knežević, Tihomir; Žilak, Josip.
    Emitter Coupled Logic (ECL) Circuit Testing and Measurements in a Novel Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology – 2nd Lot, 2011. (ekspertiza).

    13. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    MOSOR - Orientation-dependent carrier mobility simulator for single and double-gate ultra-thin body silicon devices, 2009. (računalni programski paket).

    14. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko.
    Optimization of Collector and Base Regions of a Novel Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Structure, 2009. (ekspertiza).

    15. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Poljak, Mirko.
    Emitter Coupled Logic (ECL) Circuit Design in a Novel Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology, 2009. (ekspertiza).

    16. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko.
    Novel Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) in AKM's 0, 18μm BiCMOS Process – New Planarization of Polysilicon, Simulation and Mask Design, 2008. (ekspertiza).

    17. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Poljak, Mirko.
    Novel Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) in AKM's 0, 18μm BiCMOS Process –Polysilicon Re-crystallization Problem, Process Uniformity and Device Simulation, 2008. (ekspertiza).

    18. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko.
    Novel Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) in AKM's 0, 18μm BiCMOS Process, 2007. (ekspertiza).

    19. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Jovanović, Vladimir; Grgec, Dalibor; Poljak, Mirko.
    Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) in AKM's 0, 18μm BiCMOS Process: 4th Lot Device Simulation, 2007. (ekspertiza).
     
      Patenti
     

    1. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Žilak, Josip.
    HCBT MIX1B-Aktivno dvostruko balansirano frekvencijsko miješalo s pojačalom lokalnog oscilatora u tehnologiji bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje.
    Hrvatski patentni glasnik 8 (2014) 172.

    2. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Žilak, Josip.
    HCBT MIX1B-Aktivno dvostruko balansirano frekvencijsko miješalo u tehnologiji bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje.
    Hrvatski patentni glasnik 8 (2014) 172.

    3. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi.
    Semiconductor Device Comprising a Lateral Bipolar Transistor.

    4. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi.
    Semiconductor Device Comprising a Lateral Bipolar Transistor.

    5. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi.
    Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device.

    6. Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, H.; Morita, S.
    Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device.

    7. Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi.
    Semiconductor device and fabrication method thereof.

    8. Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi.
    Semiconductor device and fabrication method thereof.

    9. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi.
    Hybrid-integrated Lateral Bipolar Transistor and CMOS Transistor and Method for Manufacturing the Same.

    10. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi.
    Hybrid-integrated Lateral Bipolar Transistor and CMOS Transistor and Method for Manufacturing the Same.

    11. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi.
    Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device.

    12. Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar; Wang, Kang L.
    Horizontal Current Bipolar Transistor.
    Hrvatski patentni glasnik (2001).
     
      Vođenje disertacija, magistarskih i diplomskih radova
     

    1. Bogdanović, Filip.
    Projektiranje radio-frekvencijskog pojačala klase A s bipolarnim tranzistorima / završni rad - preddiplomski studij.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 13.07. 2018, 44 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    2. Petrovečki, Ivor.
    Radio-frekvencijsko pojačalo snage klase A s bipolarnim tranzistorom s horizontalnim tokom struje / završni rad - preddiplomski studij.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 13.07. 2018, 42 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    3. Žilak, Josip.
    Characteristics of radio frequency integrated circuits and device reliability in horizontal current bipolar transistor technology / doktorska disertacija.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 19.6. 2017., 159 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    4. Krivec, Sabina.
    Modeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja / završni rad - diplomski/integralni studij.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 11.07. 2014., 77 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    5. Prgić, Hrvoje.
    Analiza visoko-frekvencijskih karakteristika FinFET struktura za komunikacijske sklopove / završni rad - diplomski/integralni studij.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 11.07. 2014., 57 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    6. Poljak, Mirko.
    Carrier transport in low-dimensional nanoelectronic devices / doktorska disertacija.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 28.05. 2013., 209 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav ; Wang, Kang L..

    7. Čović, Maja.
    ANALIZA P-I-N FOTODIODA VELIKIH BRZINA RADA I OSJETLJIVOSTI / završni rad - preddiplomski studij.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 28.01. 2011., 49 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    8. Khan, Saeed Ahmed.
    ELECTRICAL PROPERTIES OF FABRICATED TRANSISTOR REGIONS IN ADVANCED SILICON BIPOLAR TECHNOLOGIES / završni rad - diplomski/integralni studij.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 01.07. 2011., 77 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    9. Lončarić, Ivan.
    Projektiranje integriranih radio-frekvencijskih sklopova u tehnologiji bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje / završni rad - diplomski/integralni studij.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 01.07. 2011., 89 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    10. Petričević, Marijan.
    Analiza brzine rada i prinosa procesiranih sklopova emiterski vezane logike u tehnologiji bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje / završni rad - diplomski/integralni studij.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 01.07. 2011., 58 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    11. Gotal, Robert.
    Projektiranje dvostruko balansiranog mješala u integriranoj bipolarnoj tehnologiji / diplomski rad.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 04.02. 2010., 66 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    12. Kalafatić, Hrvoje.
    Optimiranje npn bipolarnog tranzistora sa emiterom u v-žlijebu / završni rad - diplomski/integralni studij.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 14.07. 2010., 119 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    13. Mavrek, Elena.
    Implementacija sklopova emiterski vezane logike u 180 nm tehnologiji bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje / završni rad - diplomski/integralni studij.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 07.07. 2010., 73 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    14. Nagradić, Dejan.
    Utjecaj tehnoloških parametara na električke karakteristike fotodioda / završni rad - preddiplomski studij.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 09.07. 2010., 50 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    15. Poljak, Ivan.
    Razvoj testnih struktura i demonstracijskih sklopova za bipolarni tranzistor s horizontalnim tokom struje / završni rad - diplomski/integralni studij.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 07.07. 2010., 93 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    16. Stipetić, Eduard.
    Optimiranje strukture fotodiode za detekciju na određenim valnim duljinama / završni rad - preddiplomski studij.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 09.07. 2010., 46 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    17. Cafuta, Marko.
    Analiza bipolarnog tranzistora za detekciju optičkih signala / diplomski rad.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 17.12. 2009., 54 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    18. Knežević, Tihomir.
    Karakteristike FinFET struktura s ultra tankim tijelom pod utjecajem naprezanja / diplomski rad.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 16.07. 2009., 134 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    19. Petričević, Marijan.
    Analiza MOS tranzistora realiziranih u germaniju / završni rad - preddiplomski studij.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 10.07. 2009., 35 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    20. Šuljug, Ante.
    Analiza bipolarnog tranzistora s emiterom u v-žlijebu / diplomski rad.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 22.10. 2009., 61 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    21. Žilak, Josip.
    Utjecaj naprezanja na karakteristike skaliranih CMOS tranzistora / diplomski rad.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 16.07. 2009., 87 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    22. Jovanović, Vladimir.
    Fin technology for wide-channel FET structures / doktorska disertacija.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 24.04. 2008., 116 str. Voditelj: Biljanović, Petar.

    23. Koharović, Ivan.
    Karakterizacija FinFET strukture sa ultra tankim tijelom / završni rad - preddiplomski studij.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 10.06. 2008., 52 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    24. Koričić, Marko.
    Horizontal Current Bipolar Transistor Structures for Integration with CMOS Technology / doktorska disertacija.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 03.07. 2008, 159 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    25. Mavrek, Elena.
    Mjerenje bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje procesiranog u 180 nm CMOS tehnologiji / završni rad - preddiplomski studij.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 15.06. 2008., 49 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    26. Mrzlečki, Matija.
    Utjecaj tehnološko-topoloških parametara na karakteristike bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje / diplomski rad.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 15.06. 2008., 50 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    27. Šakić, Agata.
    Analiza MOSFET-a s dvostrukom upravljačkom elektrodom u FinFET tehnologiji / diplomski rad.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 15.07. 2008., 73 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    28. Šarlija, Marko.
    Mjerenja i simulacije tranzistora snage sa produženim drift područjem u standardnoj CMOS tehnologiji / diplomski rad.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 15.11. 2008., 101 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    29. Vasiljević, Igor.
    Analiza tranzistora snage sa dodatnim mehanizmima osiromašenja u standardnoj CMOS tehnologiji / diplomski rad.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 15.11. 2008., 106 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    30. Vukosav, Ivan.
    Utjecaj koncentracija primjesa na karakteristike bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje u 180 nm CMOS tehnologiji / završni rad - preddiplomski studij.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 10.06. 2008., 58 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    31. Bilić, Marko.
    Vertikalna SON MOS struktura / diplomski rad.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 21.04. 2005., 74 str. Voditelj: Biljanović, Petar.

    32. Cerovski, Kristijan.
    Analiza specifičnih efekata kod bipolarnih tranzistora s horizontalnim tokom struje / diplomski rad.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 19.05. 2005., 124 str. Voditelj: Biljanović, Petar.

    33. Mateša, Kristijan.
    Skalirani bipolarni tranzistor s horizontalnim tokom struje / diplomski rad.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 19.05. 2005., 59 str. Voditelj: Biljanović, Petar.

    34. Cerovski, Željko.
    Utjecaj tehnoloških parametara na električke karakteristike bipolarnih struktura s horizontalnim tokom struje / diplomski rad.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 19.02. 2004., 54 str. Voditelj: Biljanović, Petar.

    35. Radinković, Ivica.
    Napredni CMOS elementi / diplomski rad.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 19.02. 2004., 93 str. Voditelj: Biljanović, Petar.
     

    Nastava

    Sveučilišni preddiplomski

    Sveučilišni diplomski

    Osobni podaci