Napredni mikro i nano elektronički elementi

Opis predmeta

Moderni elektronički elementi velike brzine rada. Tehnologija silicijskih i silicij-germanijskih bipolarnih tranzistora. Karakteristike bipolarnih tranzistora. Tranzistori s velikom pokretljivosti elektrona od složenih poluvodičkih materijala (HEMT-ovi), tehnologija i karakteristike. Heterospojni bipolarni tranzistori (HBT-ovi). Tehnologije modernih ravnih ekrana. Tankoslojni tranzistori, tehnologija i karakteristike. Princip rada, struktura i karakteristike ekrana s tekućim kristalima (LCD). Struktura i karakteristike plazmičkih ekrana. Struktura i karakteristike organskih LED ekrana (OLED). Principi i tehnologija poluvodičkih izvora svjetlosti. Svjetleće diode (LED). LED rasvjeta. Poluvodički laseri. Pregled poluvodičkih fotodektora. Pin diode, lavinske fotodiode, fototransistori. Tehnologije i karakteristike solarnih ćelija. Karakteristike integriranih energetskih elektroničkih elemenata. Lateralno difundirani MOS (LDMOS), energetski MOS, bipolarni tranzistori, HBT-ovi, HEMT-ovi. Tiristori. Bipolarni tranzistor s izoliranom upravljačkom elektrodom (IGBT).

Ishodi učenja

  1. Objasniti rad ultra-brzih elektroničkih elemenata
  2. Baratati osnovnim električkim karakteristikama ultra-brzih elektroničkih elemenata
  3. Objasniti rad optoelektroničkih i fotoničkih elemenata
  4. Baratati osnovnim električkim karakteristikama optoelektroničkih i fotoničkih elemenata
  5. Objasniti rad elektroničkih elemenata za velike snage
  6. Baratati osnovnim električkim karakteristikama elektroničkih elemenata velike snage
  7. Razlikovati strukturu i karakteristike ravnih ekrana

Oblici nastave

Predavanja

Predavanja

Auditorne vježbe

Auditorne vježbe

Laboratorij

Laboratorij

Tjedni plan nastave

  1. Tehnologija bipolarnih tranzistora (Si. SiGe. heterospojni bipolarni tranzistori)
  2. Tehnologija bipolarnih tranzistora (Si. SiGe. heterospojni bipolarni tranzistori)
  3. Karakterisitke bipolarnih tranzistora
  4. III-V tranzistori s visokom pokretljivošću elektrona (HEMT-ovi) i hetreospojni bipolarni tranzistori (HBT-ovi)
  5. Tankoslojni tranzistori. tehnologija i karakteristike, Struktura i karakteristike ekrana s tekućim kristalima (LCD-ovi)
  6. Struktura i karakteristike ekrana s plazmom, Struktura i karakteristike ekrana s organskim svijetelećim diodama (OLED)
  7. Svijetleće diode (LED-ovi)
  8. Međuispit
  9. Poluvodički laseri
  10. Fotodetektori (pin strukture. lavinske diode. fototranzistori), Sunčane ćelije
  11. Integrirani elektronički elementi snage (LDMOS-ovi. energetski MOS-ovi. bipolarni tranzistori. HBT-ovi. HEMT-ovi)
  12. Integrirani elektronički elementi snage (LDMOS-ovi. energetski MOS-ovi. bipolarni tranzistori. HBT-ovi. HEMT-ovi)
  13. Tiristori
  14. Bipolarni tranzistor s izoliranom upravljačkom elektrodom (IGBT)
  15. Završni ispit

Studijski programi

Sveučilišni diplomski
Audiotehnologije i elektroakustika (profil)
Izborni predmeti profila (1. semestar)
Automatika i robotika (profil)
Slobodni izborni predmeti (1. semestar)
Elektroenergetika (profil)
Slobodni izborni predmeti (1. semestar)
Elektroničko i računalno inženjerstvo (profil)
Slobodni izborni predmeti (1. semestar)
Elektronika (profil)
Izborni predmeti profila (1. semestar)
Elektrostrojarstvo i automatizacija (profil)
Slobodni izborni predmeti (1. semestar)
Informacijsko i komunikacijsko inženjerstvo (profil)
Slobodni izborni predmeti (1. semestar)
Komunikacijske i svemirske tehnologije (profil)
Slobodni izborni predmeti (1. semestar)
Programsko inženjerstvo i informacijski sustavi (profil)
Slobodni izborni predmeti (1. semestar)
Računalno inženjerstvo (profil)
Slobodni izborni predmeti (1. semestar)
Računalno modeliranje u inženjerstvu (profil)
Slobodni izborni predmeti (1. semestar)
Računarska znanost (profil)
Slobodni zborni predmeti (1. semestar)
Znanost o mrežama (profil)
Slobodni izborni predmeti (1. semestar)
Znanost o podacima (profil)
Slobodni izborni predmeti (1. semestar)

Literatura

Joachim N. Burghartz (2013.), Guide to State-of-the-Art Electron Devices, John Wiley & Sons
Yuan Taur, Tak H. Ning (2013.), Fundamentals of Modern VLSI Devices, Cambridge University Press
(.), P. Biljanović. Poluvodički elektronički elementi. Školska knjiga,
S. N. Sze (1990.), High-Speed Semiconductor Devices, Wiley-Interscience

Za studente

Izvedba

ID 222503
  Zimski semestar
5 ECTS
R3 Engleski jezik
R1 E-učenje
45 Predavanja
8 Auditorne vježbe
4 Laboratorijske vježbe

Ocjenjivanje

87 izvrstan
75 vrlo dobar
62 dobar
50 dovoljan