Na FER-u postoji više zaposlenika s imenom

    doc. dr. sc. Mirko Poljak

    Docent, Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave

    Intrinsic Capabilities for Digital Switching of Silicene Nanoribbons with Edge Defects

    Poljak, Mirko
    Radovi u postupku objavljivanja, 2019.

    Electron Mobility in Defective Nanoribbons of Monoelemental 2D Materials

    Poljak, Mirko
    Radovi u postupku objavljivanja, 2019.

    Accelerating Simulation of Nanodevices Based on 2D Materials by Hybrid CPU-GPU Parallel Computing

    Poljak, Mirko ; Glavan, Marko ; Kuzmić, Sandra
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2019.
    42nd Intl. Conf. MIPRO-MEET (Microelectronics, Electronics and Electronic Technology)

    QUDEN2 - Atomistic quantum transport (NEGF) simulator for silicene, germanene and phosphorene nanoribbons

    Poljak, Mirko
    , 2018.

    The Physical Mechanisms Behind the Strain-Induced Electron Mobility Increase in InGaAs-On-InP MOSFETs

    Krivec, Sabina ; Poljak, Mirko ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni i pregledni radovi, 2018.

    The Potential of Phosphorene Nanoribbons as Channel Material for Ultra-Scaled Transistors

    Poljak, Mirko ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni i pregledni radovi, 2018.

    Strain-induced increase of electron mobility in ultra-thin InGaAs-OI MOS transistors

    Krivec, Sabina ; Poljak, Mirko ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2017.
    Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS) 2017

    Immunity of electronic and transport properties of phosphorene nanoribbons to edge defects

    Poljak, Mirko ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni i pregledni radovi, 2016.

    Quantum transport analysis of conductance variability in graphene nanoribbons with edge defects

    Poljak, Mirko ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni i pregledni radovi, 2016.

    Electron mobility in ultra-thin InGaAs channels : Impact of surface orientation and different gate oxide materials

    Krivec, Sabina ; Poljak, Mirko ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni i pregledni radovi, 2016.

    Design of a scalable model of GaN devices - temperature effects and Schottky diode models

    Suligoj, Tomislav ; Koričić, Marko ; Poljak, Mirko
    , 2015.

    Sveučilišni priručnik: Rješavanje praktičnih problema iz mikroelektroničkih komponenti i poluvodičke tehnologije

    Poljak, Mirko ; Knežević, Tihomir ; Suligoj, Tomislav
    Ostalo, 2015.

    Impact of different gate insulator materials on the electron mobility in ultra-thin (100) InGaAs-on-insulator MOS devices

    Krivec, Sabina ; Poljak, Mirko ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2015.
    38th International Convention MIPRO 2015 - Microelectronics, Electronics and Electronic Technology (MEET)

    On the enhancement of electron mobility in ultra-thin (111)-oriented In0.53Ga0.47As channels

    Poljak, Mirko ; Krivec, Sabina ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2015.
    The First Joint EUROSOI-ULIS Conference 2015

    Variability of bandgap and carrier mobility caused by edge defects in ultra-narrow graphene nanoribbons

    Poljak, Mirko ; Wang, Kang L. ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni i pregledni radovi, 2015.

    Design of a scalable model of GaN devices

    Suligoj, Tomislav ; Koričić, Marko ; Poljak, Mirko ; Žonja, Sanja ; Knežević, Tihomir ; Žilak, Josip
    , 2014.

    PureB layers – XRD measurements and temperature characteristics

    Suligoj, Tomislav ; Knežević Tihomir ; Poljak, Mirko ; Žonja, Sanja ; Žilak, Josip
    , 2014.

    Large Area Reverse Structure Avalanche Photodiode Simulations

    Suligoj, Tomislav ; Koričić, Marko ; Knežević, Tihomir ; Poljak, Mirko ; Žilak, Josip
    , 2014.

    Electron Transport in Thin-Body InGaAs-OI MOSFETs: A Theoretical Viewpoint

    Poljak, Mirko ; Suligoj, Tomislav
    Druga sudjelovanja na skupovima, 2014.
    2014 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) - Workshop on Carrier Transport in Nano-Transistors

    Impact of microstrip width and annealing time on the characteristics of micro-scale graphene FETs

    Poljak, Mirko ; Wang, Minsheng ; Žonja, Sanja ; Đerek, Vedran ; Ivanda, Mile ; Wang, Kang L. ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2014.
    37th International Convention MIPRO

    Phonon-limited hole mobility in sub-20 nm-thick double-gate germanium MOSFETs

    Ivanić, Vedran ; Poljak, Mirko ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2014.
    37th International Convention MIPRO

    Comparison of RF performance between 20 nm-gate bulk and SOI FinFET

    Krivec, Sabina ; Prgić, Hrvoje ; Poljak, Mirko ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2014.
    37th International Convention MIPRO

    Sensitivity of carrier mobility to edge defects in ultra-narrow graphene nanoribbons

    Poljak, Mirko ; Wang, Kang L. ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2014.
    International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS) 2014

    Elektronika 1 - laboratorijske vježbe

    Koričić, Marko ; Križan, Mario ; Krois, Igor ; Mandić, Tvrtko ; Poljak, Mirko ; Žonja, Sanja
    Ostalo, 2013.

    XPS Data interpretation of PureB layers

    Suligoj, Tomislav ; Koričić, Marko ; Knežević, Tihomir ; Poljak, Mirko ; Žilak, Josip
    , 2013.

    Spectroscopic elipsometry and Internal photoemission characterization of of PureB layers

    Suligoj, Tomislav ; Knežević, Tihomir ; Poljak, Mirko ; Žilak, Josip
    , 2013.

    Stanje i budućnost mikroelektronike i elektroničke tehnologije kod nas i u svijetu - Prilika za uključenje

    Babić, Dubravko ; Suligoj, Tomislav ; Poljak, Mirko
    , 2013.

    MORGANA - Semi-classical carrier mobility simulator for graphene nanoribbons on different substrates

    Poljak, Mirko
    , 2013.

    Carrier transport in low-dimensional nanoelectronic devices

    Poljak, Mirko
    Doktorske disertacije, 2013.

    Influence of substrate type and quality on carrier mobility in graphene nanoribbons

    Poljak, Mirko ; Suligoj, Tomislav ; Wang, Kang L.
    Znanstveni i pregledni radovi, 2013.

    Disorder-induced variability of transport properties of sub-5 nm-wide graphene nanoribbons

    Poljak, Mirko ; Wang, Minsheng ; Song, Emil B. ; Suligoj, Tomislav ; Wang, Kang L.
    Znanstveni i pregledni radovi, 2013.

    QUDEN - Atomistic quantum transport (NEGF) simulator for studies of transport properties of graphene nanoribbons

    Poljak, Mirko
    , 2012.

    Effects of Disorder on Transport Properties of Extremely Scaled Graphene Nanoribbons

    Poljak, Mirko ; Song, Emil B. ; Wang, Minsheng ; Suligoj, Tomislav ; Wang, Kang L.
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2012.
    European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)

    Influence of edge defects, vacancies and potential fluctuations on transport properties of extremely-scaled graphene nanoribbons

    Poljak, Mirko ; Song, Emil B. ; Wang, Minsheng ; Suligoj, Tomislav ; Wang, Kang L.
    Znanstveni i pregledni radovi, 2012.

    Optimization of diode capacitance of Annular BS detector

    Suligoj, Tomislav ; Knežević, Tihomir ; Poljak, Mirko ; Žonja, Sanja ; Žilak, Josip
    , 2012.

    Assessment of electron mobility in ultra-thin body InGaAs-on-insulator MOSFETs using physics-based modeling

    Poljak, Mirko ; Jovanović, Vladimir ; Grgec, Dalibor ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni i pregledni radovi, 2012.

    INGA - Simulator of electron mobility for single and double-gate ultra-thin body InGaAs-on-insulator transistors

    Poljak, Mirko
    , 2011.

    Features of Electron Mobility in Ultrathin-Body InGaAs-On-Insulator MOSFETs down to Body Thickness of 2 nm

    Poljak, Mirko ; Jovanović, Vladimir ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2011.
    2011 IEEE International SOI Conference

    Investigation of Hole Mobility in Ultrathin-Body SOI MOSFETs on (110) Surface: Effects of Silicon Thickness and Body Doping

    Poljak, Mirko ; Jovanović, Vladimir ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2011.
    2011 IEEE International SOI Conference

    Physics-Based Modeling of Hole Mobility in Ultrathin-Body Silicon-On-Insulator MOSFETs

    Poljak, Mirko ; Jovanović, Vladimir ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2011.
    34th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO)

    Modeling study on carrier mobility in ultra-thin body FinFETs with circuit-level implications

    Poljak, Mirko ; Jovanović, Vladimir ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni i pregledni radovi, 2011.

    Physical mechanisms of electron mobility behavior in ultra-thin body double-gate MOSFETs with (100) and (111) active surfaces

    Poljak, Mirko ; Jovanović, Vladimir ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2010.
    International Conference on Microelectronics, Devices and Materials (MIDEM)

    Modeling study on carrier mobility in ultra-thin body FinFETs with circuit-level implications

    Poljak, Mirko ; Jovanović, Vladimir ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2010.
    European Solid-State Device Research Conference

    Ultra-high aspect-ratio FinFET technology

    Jovanović, Vladimir ; Suligoj, Tomislav ; Poljak, Mirko ; Civale, Yann ; Nanver, Lis K.
    Znanstveni i pregledni radovi, 2010.

    Quantum-Mechanical Modeling of Phonon-Limited Electron Mobility in Bulk MOSFETs, Ultrathin-Body SOI MOSFETs and Double-Gate MOSFETs for Different Orientations

    Poljak, Mirko ; Jovanović, Vladimir ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2010.
    33rd International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO)

    Analiza i optimiranje naprednih tranzistora s efektom polja – pregled područja i dosadašnjih rezultata

    Poljak, Mirko
    , 2010.

    Orientation-Dependent Electron Mobility Behavior with Downscaling of Fin-Width in Double- and Triple-Gate SOI FinFETs

    Poljak, Mirko ; Jovanović, Vladimir ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2010.
    International Conference on Ultimate Integration on Silicon - ULIS 2010

    Suppression of Corner Effects in Wide-Channel Triple-Gate Bulk FinFETs

    Poljak, Mirko ; Jovanović, Vladimir ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni i pregledni radovi, 2010.

    MOSOR - Orientation-dependent carrier mobility simulator for single and double-gate ultra-thin body silicon devices

    Poljak, Mirko
    , 2009.

    Emitter Coupled Logic (ECL) Circuit Design in a Novel Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology

    Suligoj, Tomislav ; Koričić, Marko ; Poljak, Mirko
    , 2009.

    FinFET: Optimization and Analysis of Specific Effects

    Poljak, Mirko
    Druga sudjelovanja na skupovima, 2009.
    European School on Nanosciences and Nanotechnologies

    Optimum Body Thickness of (111)-oriented Ultra-Thin Body Double-Gate MOSFETs with Respect to Quantum-Calculated Phonon-Limited Mobility

    Poljak, Mirko ; Jovanović, Vladimir ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2009.
    International Semiconductor Device Research Symposium 2009

    Bulk-Si FinFET Technology for Ultra-High Aspect-Ratio Devices

    Jovanović, Vladimir ; Nanver, Lis K. ; Suligoj, Tomislav ; Poljak, Mirko
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2009.
    39th European Solid-State Device Research Conference

    FinFET Considerations for 0.18 um Technology

    Jovanović, Vladimir ; Poljak, Mirko ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2009.
    45th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials MIDEM 2009

    1.9 nm Wide Ultra-High Aspect-Ratio Bulk-Si FinFETs

    Jovanović, Vladimir ; Poljak, Mirko ; Suligoj, Tomislav ; Civale, Yann ; Nanver, Lis K.
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2009.
    Device Research Conference

    Suppression of Corner Effects in Triple-Gate Bulk FinFETs

    Poljak, Mirko ; Jovanović, Vladimir ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2009.
    International IEEE Conference EUROCON 2009

    Quantum Confinement and Scaling Effects in Ultra-Thin Body Double-Gate FinFETs

    Poljak, Mirko ; Jovanović, Vladimir ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2009.
    32nd International Convention MIPRO 2009

    Improving bulk FinFET DC performance in comparison to SOI FinFET

    Poljak, Mirko ; Jovanović, Vladimir ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni i pregledni radovi, 2009.

    Novel Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) in AKM's 0, 18μm BiCMOS Process –Polysilicon Re-crystallization Problem, Process Uniformity and Device Simulation

    Suligoj, Tomislav ; Koričić, Marko ; Poljak, Mirko
    , 2008.

    Rješenje problema periodičkog potencijala u obliku Diracovog češlja prijenosnom matricom

    Poljak, Mirko
    , 2008.

    Influence of Scaling and Source/Drain Series Resistance on the Characteristics of Ultra-Thin Body FinFETs

    Šakić, Agata ; Poljak, Mirko ; Jovanović, Vladimir ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2008.
    31st International Convention MIPRO

    Properties of Bulk FinFET with High-κ Gate Dielectric and Metal Gate Electrode

    Poljak, Mirko ; Jovanović, Vladimir ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2008.
    31st International Convention MIPRO

    SOI vs. Bulk FinFET: Body Doping and Corner Effects Influence on Device Characteristics

    Poljak, Mirko ; Jovanović, Vladimir ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2008.
    The 14th IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference

    Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) in AKM's 0, 18μm BiCMOS Process: 4th Lot Device Simulation

    Suligoj, Tomislav ; Koričić, Marko ; Jovanović, Vladimir ; Grgec, Dalibor ; Poljak, Mirko
    , 2007.

    Technological constrains of bulk FinFET structure in comparison with SOI FinFET

    Poljak, Mirko ; Jovanović, Vladimir ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2007.
    International Semiconductor Device Research Symposium 2007

    Comparison of 1D and 2D model of quantum effects in the simulation of sub-50 nm double-gate MOSFETs

    Poljak, Mirko ; Biljanović, Petar ; Suligoj, Tomislav
    Znanstveni radovi u zbornicima skupova, 2007.
    International Convention MIPRO

    Utjecaj kvantnih efekata na karakteristike ekstremno skaliranih MOS tranzistora

    Poljak, Mirko
    Diplomski radovi (uključujući i diplomske radove starog programa), 2007.

    Odabrane publikacije u WoS-CC časopisima:

    • M. Poljak, "Electron Mobility in Defective Nanoribbons of Monoelemental 2D Materials", IEEE Electron Device Letters, 2019. (prihvaceno, u tisku) (IF = 3,75)
    • M. Poljak et al., "The Potential of Phosphorene Nanoribbons as Channel Material for Ultra-Scaled Transistors", IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 65, no. 1, pp. 290-294, 2018. (IF = 2,7)
    • M. Poljak et al., "Immunity of electronic and transport properties of phosphorene nanoribbons to edge defects", Nano Research, vol. 9, no. 6, pp. 1723-1734, 2016. (IF = 8,5)
    • M. Poljak et al., "Influence of edge defects, vacancies and potential fluctuations on transport properties of extremely-scaled graphene nanoribbons", IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 59, no. 12, pp. 3231-3238, 2012. (IF = 2,7)

    Životopis

    Dr. sc. Mirko Poljak je docent na Fakultetu elektrotehnike i računarstva Sveučilišta u Zagrebu. Na ovoj instituciji je doktorirao u svibnju 2013. u području nanoelektronike pod mentorstvom prof. dr. sc. T. Suligoja (FER) i prof. dr. sc. K. L. Wanga (UCLA).

    U ljeto 2009. se usavršavao na European School on Nanosciences and Nanotechnologies u Grenobleu (Francuska). Cijelu akad. god. 2011./2012. bio je gostujući istraživač - Fulbright Fellow - u grupi Device Research Lab, Dept. of Electrical Engineering, University of California Los Angeles (SAD). U prosincu 2014. i lipnju 2015. je bio na dva jednotjedna usavršavanja u Atomistic Simulation Centre, Queen's University Belfast, Belfast (UK).

    Znanstveni rad dr. Poljaka fokusiran je na razvoj modela i numeričkih simulatora za projektiranje, analizu i optimizaciju elektroničkih elemenata na nanoskali. Za vrijeme doktorskog studija, bio je fokusiran na transport nosilaca u niskodimenzionalnim nanoelektroničkim elementima poput UTB SOI, FinFET i UTB InGaAs-OI struktura. Za vrijeme boravka na UCLA-u, istraživao je transportna i elektronska svojstva grafena i grafenskih nanovrpci, eksperimentalno i teorijski. Trenutni fokus je na razvoju cjelovitog atomističkog kvantnotransportnog simulatora (TCAD) za nanoelektroničke elemente s 2D materijalima poput silicena i fosforena za primjene u digitalnoj, analognoj i senzorskoj elektronici na nanoskali. U tijeku je razvoj originalnog domaćeg in-house 3D NEGF-Poisson simulatora s ubrzanim paralelnim izvođenjem na CPU (BLAS, LAPACK, OpenMP, MPI) i GPU (Nvidia CUDA). Dr. Poljak je autor 13 radova u međunarodnim časopisima s nadprosječnim faktorom utjecaja (uključujući rad u časopisu Nano Research s faktorom utjecaja od 8,9) te preko 25 znanstvenih radova na međunarodnim konferencijama. Radovi su mu citirani preko 270 puta prema Google Scholaru. Google Scholar profil s podacima o citiranosti dostupan je ovdje, podaci iz baze Scopus ovdje, a podaci iz baze Web of Science ovdje.

    Recenzent je časopisa IEEE Transactions on Electron Devices, Applied Physics Letters, Journal of Applied Physics, Solid-State Electronics, itd. Dr. Poljak je IEEE Senior Member, te član IEEE Electron Devices Society i Hrvatske udruge MIPRO. Od 2017. godine je predsjednik Zajedničkog odjela ED/SSC Hrvatske sekcije IEEE. Dr. Poljak je dobitnik Državne nagrade za znanost (2017.), Godišnje nagrade sveučilišnih nastavnika i znanstvenika u Zagrebu (2017.), Nagrade za znanost FER-a za svjetski priznati istraživački rezultat (2016.), Nagrade Vera Johanides za mlade znanstvenike Akademije tehničkih znanosti Hrvatske (2014.), Srebrne plakete "Josip Lončar" za naročito uspješnu doktorsku disertaciju (2013.), Nagrade za znanost FER-a za iznimno postignuće u istraživačkom radu (2013.) te prestižne Fulbrightove stipendije Vlade SAD-a (2011.).

    Nastava

    Sveučilišni preddiplomski

    Sveučilišni diplomski

    Kompetencije

    • Circuits and systems
      Circuit simulation Integrated circuit modeling Very large scale integration MOS integrated circuits Silicon-on-insulator Integrated circuit technology CMOS technology Logic devices
    • Electron devices
      Quantum well devices Quantum wells Semiconductor devices Quantum dots Semiconductor device modeling Tunneling Resonant tunneling devices
    • Engineering – general
      Electrical engineering
    • Mathematics
      Linear algebra Boundary conditions Differential equations Eigenvalues and eigenfunctions Boltzmann equation Finite difference methods Iterative methods Numerical analysis Newton method Numerical simulation Sparse matrices
    • Nanotechnology
      Nanoelectronics Nanomaterials Nanoscale devices
    • Instrumentation and measurement
      Semiconductor device measurement
    • Science – general
      Quantum mechanics Density functional theory Quantum capacitance Schrodinger equation Tunneling Solid-state physics
    • Computers and information processing
      Parallel programming

    Profesionalni interesi i članstva

    Istraživački interesi:

    • napredni nano-elementi za elektroniku, senzore i neuromorfne sklopove na nanoskali
    • numeričko modeliranje i simulacije - od atomističke skale do kompaktnih modela elemenata za sklopovske simulacije
    • paralelno programiranje i računanje u heterogenim okruženjima (C, OpenMP, MPI, BLAS, LAPACK, Nvidia CUDA)
    • novi 2D materijali (grafen, silicen, fosforen, itd.) i nove paradigme za elektroniku budućnosti (spintronika, memristori)

    Članstva u znanstvenim i strukovnim društvima:

    • IEEE Senior Member
    • IEEE, IEEE Electron Devices Society
    • Hrvatska udruga MIPRO

    Osobni podaci

    Osobna stranica na Webu:
    URL službenih stranica na Webu:
    Godina diplomiranja:
    2007.
    Godina doktoriranja:
    2013.
    Na zavodu od:
    2007.

    Izabrani projekti

    • Voditelj projekta, Computational design of nanotransistors based on novel 2D materials (2020-2025, sponzor: HRZZ)
    • Voditelj projekta, Silicene nanostructures for nanoelectronics applications (2017-2018, sponzori: NVIDIA Corporation & FER Start)
    • Istraživač (poslijedoktorand), High-Performance Semiconductor Devices for Wireless Circuit and Optical Detection Applications - HIPERSEMI (2014-2018, sponzor: HRZZ; voditelj: prof. dr. sc. T. Suligoj)
    • Istraživač (doktorand), Nanometarski elektronički elementi i sklopovske primjene (2007-2013, sponzor: MZOŠ RH; voditelj: prof. dr. sc. T. Suligoj)
    • Istraživač, Horizontal current bipolar transistor (HCBT) for 0.18 μm BiCMOS integration (2008-2009, sponzor: Asahi Kasei Microdevices Co., Ltd., Japan; voditelj: prof. dr. sc. T. Suligoj)
    • Istraživač (Fulbright Fellow), Atomistic simulations of graphene nanoribbons: Bandstructure and quantum transport (2011-2012, sponzor: FENA; voditelj: prof. dr. sc. K. L. Wang)

    Povijest zaposlenja

    Od lipnja 2017. - docent na Zavodu za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave (ZEMRIS).

    Od srpnja 2013. do lipnja 2017. - poslijedoktorand/viši asistent na Zavodu za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave (ZEMRIS).

    Od rujna 2011. do lipnja 2012. - gostujući istraživač (Fulbright Fellow) na University of California Los Angeles (UCLA), Dept. of Electrical Engineering.

    Od srpnja 2007. do lipnja 2013. - znanstveni novak/asistent na Zavodu za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave (ZEMRIS).