Na FER-u postoji više zaposlenika s imenom

    doc. dr. sc. Mirko Poljak

    Docent, Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave

    Lokacija:
    D-356
    Telefon:
    6129-924
    Telefon kućni:
    424
    E-mail:
    E-mail
    Otvori profil na Google Scholar
      Udžbenici i skripta
     

    1. Poljak, Mirko; Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav.
    Sveučilišni priručnik: Rješavanje praktičnih problema iz mikroelektroničkih komponenti i poluvodičke tehnologije .
    Zagreb : FER: Manualia Universitatis studiorum Zagrabiensis, 2015.

    2. Koričić, Marko; Križan, Mario; Krois, Igor; Mandić, Tvrtko; Poljak, Mirko; Žonja, Sanja.
    Elektronika 1 - laboratorijske vježbe .
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2013.
    		 
      Izvorni znanstveni i pregledni radovi u CC časopisima
     

    1. Krivec, Sabina; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    The Physical Mechanisms Behind the Strain-Induced Electron Mobility Increase in InGaAs-On-InP MOSFETs. // IEEE transactions on electron devices. 65 (2018) , 7; 2784-2789 (članak, znanstveni).

    2. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    The Potential of Phosphorene Nanoribbons as Channel Material for Ultra-Scaled Transistors. // IEEE transactions on electron devices. 65 (2018) , 1; 290-294 (članak, znanstveni).

    3. Krivec, Sabina; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    Electron mobility in ultra-thin InGaAs channels : Impact of surface orientation and different gate oxide materials. // Solid-state electronics. 115 (2016) , 1; 109-119 (članak, znanstveni).

    4. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    Quantum transport analysis of conductance variability in graphene nanoribbons with edge defects. // IEEE transactions on electron devices. 63 (2016) , 2; 537-543 (članak, znanstveni).

    5. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    Immunity of electronic and transport properties of phosphorene nanoribbons to edge defects. // Nano Research. 9 (2016) , 6; 1723-1734 (članak, znanstveni).

    6. Poljak, Mirko; Wang, Kang L.; Suligoj, Tomislav.
    Variability of bandgap and carrier mobility caused by edge defects in ultra-narrow graphene nanoribbons. // Solid-state electronics. 108 (2015) ; 67-74 (članak, znanstveni).

    7. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.
    Influence of substrate type and quality on carrier mobility in graphene nanoribbons. // Journal of applied physics. 114 (2013) , 5; 053701-1-053701-8 (članak, znanstveni).

    8. Poljak, Mirko; Wang, Minsheng; Song, Emil B.; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.
    Disorder-induced variability of transport properties of sub-5 nm-wide graphene nanoribbons. // Solid-state electronics. 84 (2013) , 6; 103-111 (članak, znanstveni).

    9. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Grgec, Dalibor; Suligoj, Tomislav.
    Assessment of electron mobility in ultra-thin body InGaAs-on-insulator MOSFETs using physics-based modeling. // IEEE transactions on electron devices. 59 (2012) , 6; 1636-1643 (članak, znanstveni).

    10. Poljak, Mirko; Song, Emil B.; Wang, Minsheng; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.
    Influence of edge defects, vacancies and potential fluctuations on transport properties of extremely-scaled graphene nanoribbons. // IEEE transactions on electron devices. 59 (2012) , 12; 3231-3238 (članak, znanstveni).

    11. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Modeling study on carrier mobility in ultra-thin body FinFETs with circuit-level implications. // Solid-state electronics. 65/66 (2011) ; 130-138 (članak, znanstveni).

    12. Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Poljak, Mirko; Civale, Yann; Nanver, Lis K.
    Ultra-high aspect-ratio FinFET technology. // Solid-state electronics. 54 (2010) , 9; 870-876 (članak, znanstveni).

    13. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Suppression of Corner Effects in Wide-Channel Triple-Gate Bulk FinFETs. // Microelectronic Engineering. 87 (2010) , 2; 192-199 (članak, znanstveni).

    14. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Improving bulk FinFET DC performance in comparison to SOI FinFET. // Microelectronic engineering. 86 (2009) , 10; 2078-2085 (članak, znanstveni).
    		 
      Znanstveni radovi u zbornicima skupova s međunar.rec.
     

    1. Krivec, Sabina; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    Strain-induced increase of electron mobility in ultra-thin InGaAs-OI MOS transistors // Proceedings of the 3rd Joint EUROSOI-ULIS Conference 2017.
    2017. 136-139 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    2. Krivec, Sabina; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    Impact of different gate insulator materials on the electron mobility in ultra-thin (100) InGaAs-on-insulator MOS devices // Proceedings of the 38th International Convention MIPRO 2015 / Biljanović, Petar (ur.).
    Rijeka : GRAFIK, 2015. 25-30 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    3. Poljak, Mirko; Krivec, Sabina; Suligoj, Tomislav.
    On the enhancement of electron mobility in ultra-thin (111)-oriented In0.53Ga0.47As channels // Proceedings of the First Joint EUROSOI-ULIS Conference 2015 / Palestri, Pierpaolo ; Gnani, Elena (ur.).
    Bologna, 2015. 117-120 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    4. Ivanić, Vedran; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    Phonon-limited hole mobility in sub-20 nm-thick double-gate germanium MOSFETs // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
    Rijeka : GRAFIK, 2014. 45-50 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    5. Krivec, Sabina; Prgić, Hrvoje; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    Comparison of RF performance between 20 nm-gate bulk and SOI FinFET // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
    Rijeka : GRAFIK, 2014. 51-56 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    6. Poljak, Mirko; Wang, Kang L.; Suligoj, Tomislav.
    Sensitivity of carrier mobility to edge defects in ultra-narrow graphene nanoribbons // Proceedings of the International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS) 2014 / Mikael Ostling ; Per-Erik Hellstrom ; Gunnar Malm (ur.).
    Stockholm : KTH, 2014. 1-4 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    7. Poljak, Mirko; Wang, Minsheng; Žonja, Sanja; Đerek, Vedran; Ivanda, Mile; Wang, Kang L.; Suligoj, Tomislav.
    Impact of microstrip width and annealing time on the characteristics of micro-scale graphene FETs // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
    Rijeka : GRAFIK, 2014. 33-38 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    8. Poljak, Mirko; Song, Emil B.; Wang, Minsheng; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.
    Effects of Disorder on Transport Properties of Extremely Scaled Graphene Nanoribbons // Proceedings of the 42nd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) / Deval, Yann ; Zimmer, Thomas ; Skotnicki, Thomas (ur.).
    Bordeaux : IEEE, 2012. 298-301 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    9. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Physics-Based Modeling of Hole Mobility in Ultrathin-Body Silicon-On-Insulator MOSFETs // Proceedings of the 34th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO) - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
    Zagreb : DENONA, 2011. 71-76 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    10. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Investigation of Hole Mobility in Ultrathin-Body SOI MOSFETs on (110) Surface: Effects of Silicon Thickness and Body Doping // Proceedings of the 2011 IEEE International SOI Conference / W. Xiong (ur.).
    Tempe, Arizona, USA : IEEE, 2011. 114-115 (poster,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    11. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Features of Electron Mobility in Ultrathin-Body InGaAs-On-Insulator MOSFETs down to Body Thickness of 2 nm // Proceedings of the 2011 IEEE International SOI Conference / W. Xiong (ur.).
    Tempe, Arizona, SAD : IEEE, 2011. 156-157 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    12. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Orientation-Dependent Electron Mobility Behavior with Downscaling of Fin-Width in Double- and Triple-Gate SOI FinFETs // Proceedings of the 11th International Conference on Ultimate Integration on Silicon / S. Roy (ur.).
    Glasgow, 2010. 21-24 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    13. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Quantum-Mechanical Modeling of Phonon-Limited Electron Mobility in Bulk MOSFETs, Ultrathin-Body SOI MOSFETs and Double-Gate MOSFETs for Different Orientations // Proceedings of the 33rd International Convention MIPRO - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
    Zagreb : Denona, 2010. 74-79 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    14. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Modeling study on carrier mobility in ultra-thin body FinFETs with circuit-level implications // Proceedings of the 40th European Solid-State Device Research Conference / Gamiz, Francisco ; Godoy, Andres (ur.).
    Seville : IEEE, 2010. 242-245 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    15. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Physical mechanisms of electron mobility behavior in ultra-thin body double-gate MOSFETs with (100) and (111) active surfaces // Proceedings of the 46th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials (MIDEM) / Đonlagić, D. ; Šorli, I. ; Šorli, P. (ur.).
    Ljubljana : BIRO M, 2010. 101-105 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    16. Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav; Poljak, Mirko.
    Bulk-Si FinFET Technology for Ultra-High Aspect-Ratio Devices // Proceedings of the 39th European Solid-State Device Research Conference / Tsoukalas, D. ; Dimoulas, A. (ur.).
    Athens : IEEE, 2009. 241-244 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    17. Jovanović, Vladimir; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    FinFET Considerations for 0.18 um Technology // Proceedings of 45th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials MIDEM 2009 / Topič M. ; Krč, J. ; Šorli, I. (ur.).
    Ljubljana, Slovenija : MIDEM Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials, 2009. 91-96 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    18. Jovanović, Vladimir; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav; Civale, Yann; Nanver, Lis K.
    1.9 nm Wide Ultra-High Aspect-Ratio Bulk-Si FinFETs // Device Research Conference - Conference Digest / Koester, S. ; Gundlach, D. ; Fay, P. (ur.).
    IEEE, 2009. 261-262 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    19. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Quantum Confinement and Scaling Effects in Ultra-Thin Body Double-Gate FinFETs // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
    Rijeka : Croatian Society for Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics - MIPRO, 2009. 95-100 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    20. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Suppression of Corner Effects in Triple-Gate Bulk FinFETs // Proceedings of the International IEEE Conference EUROCON 2009 / Mironenko, I. ; Mikerov, A. (ur.).
    St. Petersburg : IEEE, 2009. 1-6 (poster,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    21. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Optimum Body Thickness of (111)-oriented Ultra-Thin Body Double-Gate MOSFETs with Respect to Quantum-Calculated Phonon-Limited Mobility // Proceedings of the International Semiconductor Device Research Symposium 2009 / Jones, Ken ; Dilli, Zeynep (ur.).
    College Park : IEEE, 2009. 1-2 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    22. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    SOI vs. Bulk FinFET: Body Doping and Corner Effects Influence on Device Characteristics // Proceedings of the 14th IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference (MELECON) / G. A. Capolino, J. F. Santucci (ur.).
    Ajaccio : IEEE, 2008. 425-430 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    23. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Properties of Bulk FinFET with High-κ Gate Dielectric and Metal Gate Electrode // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
    Zagreb : Denona, 2008. 73-78 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    24. Šakić, Agata; Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Influence of Scaling and Source/Drain Series Resistance on the Characteristics of Ultra-Thin Body FinFETs // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
    Zagreb : Denona, 2008. 84-89 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    25. Poljak, Mirko; Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav.
    Comparison of 1D and 2D model of quantum effects in the simulation of sub-50 nm double-gate MOSFETs // Proceedings of the 30th International Convention MIPRO 2007 / P. Biljanović, K. Skala (ur.).
    Rijeka, 2007. 78-83 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).

    26. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
    Technological constrains of bulk FinFET structure in comparison with SOI FinFET // Proceedings of International Semiconductor Device Research Symposium / Jones, K. (ur.).
    College Park - Washington, USA, 2007. (poster,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
    		 
      Neobjavljena sudjelovanja na skupovima
     

    1. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    Electron Transport in Thin-Body InGaAs-OI MOSFETs: A Theoretical Viewpoint // 2014 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) - Workshop on Carrier Transport in Nano-Transistors / Tsuchiya, H. ; Kamakura, Y. (ur.).
    Yokohama, Japan, 2014. 1-42 (pozvano predavanje,međunarodna recenzija,ppt prezentacija,znanstveni).

    2. Poljak, Mirko.
    FinFET: Optimization and Analysis of Specific Effects // European School on Nanosciences and Nanotechnologies (ESONN), August-September 2009, Grenoble, France.
    (poster,neobjavljeni rad,znanstveni).
    		 
      Disertacije
     

    1. Poljak, Mirko.
    Carrier transport in low-dimensional nanoelectronic devices / doktorska disertacija.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 28.05. 2013., 209 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav ; Wang, Kang L..
    		 
      Diplomski radovi
     

    1. Poljak, Mirko.
    Utjecaj kvantnih efekata na karakteristike ekstremno skaliranih MOS tranzistora / diplomski rad.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 17.05. 2007., 95 str. Voditelj: Biljanović, Petar.
    		 
      Druge vrste radova
     

    1. Suligoj, Tomislav; Knežević Tihomir; Poljak, Mirko; Žonja, Sanja; Žilak, Josip.
    PureB layers – XRD measurements and temperature characteristics, 2014. (ekspertiza).

    2. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Knežević, Tihomir; Poljak, Mirko; Žilak, Josip.
    Large Area Reverse Structure Avalanche Photodiode Simulations, 2014. (ekspertiza).

    3. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Poljak, Mirko; Žonja, Sanja; Knežević, Tihomir; Žilak, Josip.
    Design of a scalable model of GaN devices, 2014. (ekspertiza).

    4. Babić, Dubravko; Suligoj, Tomislav; Poljak, Mirko.
    Stanje i budućnost mikroelektronike i elektroničke tehnologije kod nas i u svijetu - Prilika za uključenje, 2013. (popularan rad).

    5. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    MORGANA - Semi-classical carrier mobility simulator for graphene nanoribbons on different substrates, 2013. (računalni programski paket).

    6. Suligoj, Tomislav; Knežević, Tihomir; Poljak, Mirko; Žilak, Josip.
    Spectroscopic elipsometry and Internal photoemission characterization of of PureB layers, 2013. (ekspertiza).

    7. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Knežević, Tihomir; Poljak, Mirko; Žilak, Josip.
    XPS Data interpretation of PureB layers, 2013. (ekspertiza).

    8. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    QUDEN - Atomistic quantum transport (NEGF) simulator for studies of transport properties of graphene nanoribbons, 2012. (računalni programski paket).

    9. Suligoj, Tomislav; Knežević, Tihomir; Poljak, Mirko; Žonja, Sanja; Žilak, Josip.
    Optimization of diode capacitance of Annular BS detector, 2012. (ekspertiza).

    10. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    INGA - Simulator of electron mobility for single and double-gate ultra-thin body InGaAs-on-insulator transistors, 2011. (računalni programski paket).

    11. Poljak, Mirko.
    Analiza i optimiranje naprednih tranzistora s efektom polja – pregled područja i dosadašnjih rezultata, 2010. (kvalifikacijski doktorski ispit).

    12. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
    MOSOR - Orientation-dependent carrier mobility simulator for single and double-gate ultra-thin body silicon devices, 2009. (računalni programski paket).

    13. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Poljak, Mirko.
    Emitter Coupled Logic (ECL) Circuit Design in a Novel Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology, 2009. (ekspertiza).

    14. Poljak, Mirko.
    Rješenje problema periodičkog potencijala u obliku Diracovog češlja prijenosnom matricom, 2008. (seminarski rad (rukopis)).

    15. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Poljak, Mirko.
    Novel Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) in AKM's 0, 18μm BiCMOS Process –Polysilicon Re-crystallization Problem, Process Uniformity and Device Simulation, 2008. (ekspertiza).

    16. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Jovanović, Vladimir; Grgec, Dalibor; Poljak, Mirko.
    Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) in AKM's 0, 18μm BiCMOS Process: 4th Lot Device Simulation, 2007. (ekspertiza).
    		 
      Vođenje disertacija, magistarskih i diplomskih radova
     

    1. Krivec, Sabina.
    Modeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja / završni rad - diplomski/integralni studij.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 11.07. 2014., 77 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    2. Prgić, Hrvoje.
    Analiza visoko-frekvencijskih karakteristika FinFET struktura za komunikacijske sklopove / završni rad - diplomski/integralni studij.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 11.07. 2014., 57 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    3. Knežević, Tihomir.
    Karakteristike FinFET struktura s ultra tankim tijelom pod utjecajem naprezanja / diplomski rad.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 16.07. 2009., 134 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    4. Petričević, Marijan.
    Analiza MOS tranzistora realiziranih u germaniju / završni rad - preddiplomski studij.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 10.07. 2009., 35 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    5. Žilak, Josip.
    Utjecaj naprezanja na karakteristike skaliranih CMOS tranzistora / diplomski rad.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 16.07. 2009., 87 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    6. Koharović, Ivan.
    Karakterizacija FinFET strukture sa ultra tankim tijelom / završni rad - preddiplomski studij.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 10.06. 2008., 52 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    7. Šakić, Agata.
    Analiza MOSFET-a s dvostrukom upravljačkom elektrodom u FinFET tehnologiji / diplomski rad.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 15.07. 2008., 73 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    8. Šarlija, Marko.
    Mjerenja i simulacije tranzistora snage sa produženim drift područjem u standardnoj CMOS tehnologiji / diplomski rad.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 15.11. 2008., 101 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.

    9. Vasiljević, Igor.
    Analiza tranzistora snage sa dodatnim mehanizmima osiromašenja u standardnoj CMOS tehnologiji / diplomski rad.
    Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 15.11. 2008., 106 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
    		 

    Odabrane publikacije u CC časopisima:

    • M. Poljak et al., "Immunity of electronic and transport properties of phosphorene nanoribbons to edge defects", Nano Research, vol. 9, no. 6, pp. 1723-1734, 2016. LINK
    • M. Poljak et al., "Influence of substrate type and quality on carrier mobility in graphene nanoribbons", Journal of Applied Physics, vol. 114, no. 5, p. 053701, 2013.
    • M. Poljak et al., "Influence of edge defects, vacancies and potential fluctuations on transport properties of extremely-scaled graphene nanoribbons", IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 59, no. 12, pp. 3231-3238, 2012.
    • M. Poljak et al., "Assessment of electron mobility in ultra-thin body InGaAs-on-insulator MOSFETs using physics-based modeling", IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 59, no. 6, pp. 1636-1643, 2012.

    Životopis

    Dr. sc. Mirko Poljak je docent na Fakultetu elektrotehnike i računarstva Sveučilišta u Zagrebu. Na ovoj instituciji je doktorirao u svibnju 2013. u području nanoelektronike pod mentorstvom prof. dr. sc. T. Suligoja (FER) i prof. dr. sc. K. L. Wanga (UCLA).

    U ljeto 2009. se usavršavao na European School on Nanosciences and Nanotechnologies u Grenobleu (Francuska). Cijelu akad. god. 2011./2012. bio je gostujući istraživač - Fulbright Fellow - u grupi Device Research Lab, Dept. of Electrical Engineering, University of California Los Angeles (SAD). U prosincu 2014. i lipnju 2015. je bio na dva jednotjedna usavršavanja u Atomistic Simulation Centre, Queen's University Belfast, Belfast (UK).

    Znanstveni rad dr. Poljaka fokusiran je na razvoj modela i numeričkih simulatora za projektiranje, analizu i optimizaciju elektroničkih elemenata na nanoskali. Za vrijeme doktorskog studija, bio je fokusiran na transport nosilaca u niskodimenzionalnim nanoelektroničkim elementima poput UTB SOI, FinFET i UTB InGaAs-OI struktura. Za vrijeme boravka na UCLA-u, istraživao je transportna i elektronska svojstva grafena i grafenskih nanovrpci, eksperimentalno i teorijski. Trenutni fokus je na razvoju cjelovitog atomističkog kvantnotransportnog simulatora (TCAD) za nanoelektroničke elemente s 2D materijalima poput silicena i fosforena za primjene u digitalnoj, analognoj i senzorskoj elektronici na nanoskali. U tijeku je razvoj originalnog domaćeg in-house 3D NEGF-Poisson simulatora s ubrzanim paralelnim izvođenjem na CPU (BLAS, LAPACK, OpenMP, MPI) i GPU (Nvidia CUDA). Dr. Poljak je autor 13 radova u međunarodnim časopisima s nadprosječnim faktorom utjecaja (uključujući rad u časopisu Nano Research s faktorom utjecaja od 8,9) te preko 25 znanstvenih radova na međunarodnim konferencijama. Radovi su mu citirani preko 270 puta prema Google Scholaru. Google Scholar profil s podacima o citiranosti dostupan je ovdje, podaci iz baze Scopus ovdje, a podaci iz baze Web of Science ovdje.

    Recenzent je časopisa IEEE Transactions on Electron Devices, Applied Physics Letters, Journal of Applied Physics, Solid-State Electronics, itd. Član je IEEE, IEEE Electron Devices Society i Hrvatske udruge MIPRO. Od 2017. godine je predsjednik Zajedničkog odjela ED/SSC Hrvatske sekcije IEEE. Dr. Poljak je dobitnik Državne nagrade za znanost (2017.), Godišnje nagrade sveučilišnih nastavnika i znanstvenika u Zagrebu (2017.), Nagrade za znanost FER-a za svjetski priznati istraživački rezultat (2016.), Nagrade Vera Johanides za mlade znanstvenike Akademije tehničkih znanosti Hrvatske (2014.), Srebrne plakete "Josip Lončar" za naročito uspješnu doktorsku disertaciju (2013.), Nagrade za znanost FER-a za iznimno postignuće u istraživačkom radu (2013.) te prestižne Fulbrightove stipendije Vlade SAD-a (2011.).

    Nastava

    Sveučilišni preddiplomski

    Sveučilišni diplomski

    Profesionalni interesi i članstva

    Istraživački interesi:

    • napredni nanoelektronički elementi za digitalnu i analognu/RF elektroniku, te kemijske i bio-senzore na nanoskali
    • numeričko modeliranje i simulacije - od atomističke skale do kompaktnih modela elemenata za sklopovske simulacije
    • novi 2D materijali (grafen, silicen, fosforen) i nove paradigme za elektroniku budućnosti (spintronika, memristori)

    Članstva u znanstvenim i strukovnim društvima:

    • IEEE Electron Devices Society
    • Hrvatska udruga MIPRO

    Osobni podaci

    Osobna stranica na Webu:
    https://minel.fer.hr/
    URL službenih stranica na Webu:
    https://minel.fer.hr/
    Godina diplomiranja:
    2007.
    Godina doktoriranja:
    2013.
    Na zavodu od:
    2007.

    Izabrani projekti

    • High-Performance Semiconductor Devices for Wireless Circuit and Optical Detection Applications - HIPERSEMI (2014-2018, sponzor: HRZZ; voditelj: prof. dr. sc. T. Suligoj)
    • Nanometarski elektronički elementi i sklopovske primjene (2007-2013, sponzor: MZOŠ RH; voditelj: prof. dr. sc. T. Suligoj)
    • Horizontal current bipolar transistor (HCBT) for 0.18 μm BiCMOS integration (2008-2009, sponzor: Asahi Kasei Microdevices Co., Ltd., Japan; voditelj: prof. dr. sc. T. Suligoj)
    • Atomistic simulations of graphene nanoribbons: Bandstructure and quantum transport (2011-2012, sponzor: FENA; voditelj: prof. dr. sc. K. L. Wang)

    Povijest zaposlenja

    Od lipnja 2017. - docent na Zavodu za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave (ZEMRIS).

    Od srpnja 2013. do lipnja 2017. - poslijedoktorand/viši asistent na Zavodu za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave (ZEMRIS).

    Od rujna 2011. do lipnja 2012. - gostujući istraživač (Fulbright Fellow) na University of California Los Angeles (UCLA), Dept. of Electrical Engineering.

    Od srpnja 2007. do lipnja 2013. - znanstveni novak/asistent na Zavodu za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave (ZEMRIS).