|
ECTS:
|
6
|
Nositelji:
|
Prof. dr. sc.
Petar Biljanović
Prof. dr. sc.
Tomislav Suligoj
|
Engleski jezik:
1,1,1
|
Svi elementi nastave na predmetu provode se na engleskom jeziku. Ova razina uključuje i predmete s više nastavnih grupa (u hrvatskoj grupi nastava je isključivo na hrvatskom jeziku, a u engleskoj grupi isključivo na engleskom jeziku).
|
Opis predmeta:
|
Tehnološka podloga VLSI/ULSI sklopova. Pregled komponenti i načina korištenja. Metode stapanja. Postupci skaliranja mikroelektroničkog sklopa. Energetska, naponska i strujna ograničenja. Brzina rada pojedinih sklopova. Kvantni efekti. Karakteristike pojedinih metoda integracije u VLSI i ULSI čipovima. Utjecaj reduciranih dimenzija na temeljna svojstva logičkih i memorijskih ćelija. Prijelaz od mikroelektronike ka nanoelektronici.
|
Literatura:
|
- Y. Taur, T. Ning, Fundamentals of Modern VLSI Devices, Cambridge University Press, 1998.
- J. D. Plummer, M. D. Deal, P. B. Griffin: Silicon VLSI Technology: Fundamentals, Practice and Modeling, Prentice Hall, 1999.
- S. Wolf, Silicon Processing for the VLSI Era: Deep Submicron Process Technology, Lattice Press, 2002.
|
|
Zimski semestar
|
predmet za
Poslijediplomski studij
|
|
